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(2)输入电路正弦化处理方式
在低压输入端正弦化处理的功率驱动电路简图如上图所示，Vl、V4为P沟道MOSFET管，V2、V3为N沟道MOSFET管，电容Cl与高压变压器Tl的初级绕组Ll串联。该功率驱动电路的4路激励脉冲如下图所示。
在tO-tl期间，V1、V3导通，V2、V4截止，电源经Vl、Cl、L1、V3形成电流回路，如下图所示。在此期间，流过L1的电流逐渐增大，Ll储能，其感应电动势为左正右负。
在tl～t2期间，Vl导通，V2～V4截止，流过Ll中的电流突然减小，其感应电动势极性反转，即左负右正，该电动势经V3中的阻尼二极管、Vl及Cl形成电流回路，如下图所示。
在t2～t3期间，Vl、V4导通，V2、V3截止，L1与Cl谐振，Ll中储存的电能通过Vl、V4给Cl充电，流过Ll的电流逐渐减小，其电流回路如下图所示。
在t3-t4期间，V1～V3截止，V4导通，Ll中无电流流过，如下图所示。
在t4-t5期间，V2、V4导通．Vl、V3截止，电源经V4、Ll，Cl、V2形成电流回路，如下上图所示，在此期间，流过Ll的电流反向，但电流值逐渐增大，Ll储能，其感应电动势为左负右正。在t5~t6期间，V4导通，V1～V3截止，流过L1中的电流突然减小，其感应电动势极性反转，即为左正右负，该电动势经Vl中的阻尼二极管、V4及Cl形成电流回路，如下下图所示。
在t6～t7期间，Vl、V4导通，V2、V3截止，L1与Cl谐振，Ll中储存的电能通过Vl、V4给C1充电，流过L1的电流逐渐减小，其电流回路如下图所示。
在t7～t8期间，V1导通，V2～V4截止，Ll中无电流流过，如下图所示。
