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键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光,当轻触其中一个按键时,光线将由强变弱,轻触另一个按键时,光线便会由弱变强。
工作原理
电路原理见图1(点此下载原理图),VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源,由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管,防止场效应管栅极击穿。当按下S1时,由R1向C1充电,使栅极电压上升,可可控硅的触发电流上升,导通角变大,光线增加,当按下S2时,C1沿R2放电,栅极电压下降,可控硅的导通角变小,光线变暗。当S1、S2都放开时,由于MOS场效应管的栅源电阻很大,C1两端的电压将基本不变,所以可控硅的导通角也将不变,光线稳定下来。
元器件选择与制作
元器件清单见下表。
编 号 | 名 称 | 型 号 | 数 量 |
R1 | 电阻 | 39K | 1 |
R2 | 电阻 | 24K | 1 |
R3、R4、R5 | 电阻 | 1K | 3 |
C1、C2 | 电解电容 | 100u/16V | 2 |
C3 | 金属化纸介电容 | 0.47u/400V | 1 |
VD1、VD2 | 整流二极管 | IN4007 | 2 |
VDW1、VDW2 | 稳压二极管 | 2CW1 | 2 |
VDW3 | 稳压二极管 | 2CW21 | 1 |
VS | 双向可控硅 | 1A/400V 如3CTS1A | 1 |
JF | MOS场效应管 | IDSS≥5mA,BVDS≥15V | 1 |
S1、S2 | 轻触开关 | 2 |
场效应管JF的IDSS≥5mA,BVDS≥15V,可控硅VS选用1A/400V即可,如3CTS1A等。其它元件无特殊要求,具体数值已标在图(表)中。电阻R1、R2的数值决定了电容C1的充放电时间。在制作时,若光线变化太快时,应适当增大R1、R2的数值,反之应减小。