可控硅是一种以硅单晶为基本材料，有三个PN结，属于四层结构的三端器件，研制于1957年。由于它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，英文全称为Thyristoy。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面，所以又称为硅可控整流元件，简称可控硅SCR。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小、效率高、价格低、工作可靠等优点。它是大功率开关型半导体器件，用途广泛。可控硅的控制极的引用，为“以小控大”的特性奠定了基础。可控硅分为单向可控硅和双向可控硅。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G。单向可控硅用于交流市电时，需要先通过四个二极管对交流市电进行桥式整流。

　　单向可控硅用于交流市电时，有一个独特之处，只需在它的控制极G和阴极K之间接上一个几微法到几十微法的电容，当可控硅一旦被触发导通后，将可以一直维持导通，并不会由于交流市电过零时而关断。这是因为可控硅导通届，会向这个电容充电。而交流市电每次过零时，所接的这个电容可以向可控硅的控制极放电，相当于为可控硅提供了一个触发电流。电路如附图所示。