在2010年1月28～29日于姫路举行的TFT国际会议“International Thin-Film Transistor Conference 2010(ITC'10)”上，笔者获得了发表特邀论文(Invited Paper)的机会。所发表的内容涉及新一代FPD底板用TFT需要具备的性能。由于与会者反响热烈，在得到ITC'10允许后，在此对其中一部分做一介绍。

　　ITC是TFT专业国际会议，首届于2005年3月在首尔举行。之后，依次在日本(北九州)、意大利、韩国及法国各举行过一次，此次为第六届。下届预定在英国剑桥举行。

　　此次共收集论文89篇，其中特邀论文为18篇，普通论文为71篇，在两个会议上分别同时发表。一个会议与Si相关，另一个与氧化物和有机TFT相关。笔者虽然只参加了后者，但却听到了众多令人颇感兴趣的论文。另外，展板讨论也盛况空间。最后的研讨会以“Si类、氧化物、有机TFT，谁才是最被看好的新一代TFT”这一时令主题进行了6项发表，笔者有幸做了基调演讲。在同一周还举行了与透明非结晶氧化物半导体及其显示器应用有关的国际会议“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide SEMIconductors(TAOS 2010)”，会场气氛也十分热烈，与会者络驿不绝，值得关注的发表也很多，内容也令人颇感兴趣。但深感遗憾的是，会议只在分发的小册子上列出了概要(Abstract)，并未发表论文集(Proceedings)。

　　ITC '10让人感到非常好的一点是，各位元器件专家展开了客观讨论，与会者可一边读着论文集一边整理自己的思路。虽然TA0S 2010全面展示了各个企业在新一代FPD方面的战略，但ITC'10还有多个报告介绍了相关论据以及比较参照示例。笔者认为，这种脚踏实地的讨论非常重要。

　　从设计工艺看TFT的开发战略～LTPS如何生存

　　下面来介绍一下笔者发表的部分内容。

　　图1采用与MOS LSI比较的方式总结了TFT设计工艺的发展趋势。众所周知，MOS LSI一直是依据摩尔法则不断微细化，从而提高电路集成密度的。由此可以类推，液晶投影仪等使用的高温工艺多结晶Si-TFT(高温p-Si TFT、HTPS TFT)也将沿着同样的趋势向前发展，原因是其工艺要比MOS LSI落后数代。这种战略只有投射型显示器用面板才可能实现。

　　而非结晶Si-TFT(a-Si TFT)在未改变设计规格的情况下，一边扩大素玻璃底板的尺寸，一边不断提高生产率。这是因为，直视型显示器即使在保持像素数的同时使面板小型化，也不能提高附加值，因此与MSO LSI相反，只能在保持屏幕尺寸的同时，通过提高生产率来降低成本。

　　那么，低温多结晶Si-TFT(低温p-Si TFT、LTPS TFT)的情况又如何呢?令人遗憾的是设计工艺并未改变，底板的大型化仅停留在第四代(680mm×880mm～730mm×920mm)的水平。也许LTPS的各位专家会对图中提出“模糊战略(Vague Strategy)”的说法感到不快，但笔者要说的是，LTPS的发展战略并不像a-Si TFT及高温p-Si TFT那么清晰。

　　图1：通过与MOS LSI比较总结TFT设计工艺的发展趋势在得到ITC'10允许后从发表资料转载而来。