一般发光器件都是砷化镓红外发光二极管，而受光器件一般有光敏二极管、硅光敏晶体管、达林顿型光敏三极管、光控晶闸管型及集成电路型等，其内部结构如图所示。

　　光电耦合器的封装形式，只有双列直插式，常用类型的光电耦合器的引脚排列，如图2所示。

　　光电耦合器光电管的集电极电流IC与发光二极管的电流If之比称为电流传输比，用CTR表示，CTR的大小与光电耦合器的类型有关。二极管输出光电耦合器的CTR较小，在3％以内。三极管输出的光电耦合器的CTR可达150％，光电开关的CTR可达500％。

　　光电耦合器与三极管一样可以线性工作，也可工作在开关状态。在电源的驱动电路中，“光耦”一般用来传递脉冲信号，工作于开关状态。工作在高频时，应考虑“光耦”的响应时间，包括：延迟时间Td、上升时间tr、下降时间tf，如图3(a)(b)所示。为了得到快速响应，常选用高速“光耦”。在“光耦”电路中，负载电阻Rl的大小影响“光耦”的响应时间，Rl越小，“光耦”的响应时间越短。在使用时，在“光耦”允许的集电极电流范围内要尽量减小负载电阻以提高“光耦”的响应速度。