有机电致发光器件基本结构为多层型，多层型可以是具有异质界面的迭层型结构和模糊界面层型结构。有机电致发光器件实际上又可以分为多种器件结构，这些结构是为了适应材料性能和器件性能要求而设计的。某些结构在提高发光效率和性能稳定性方面是相当重要的，如掺杂型和消除界面型结构等已经是当前引导有机电致发光器件的发展方向。与这些结构相对应的发光机制解释给出了很值得注意的模型。有机电致发光器件结构一般有：电子传输层（ETL, eleCTRon transport layer）、发射层(EL, EMItter layer)、空穴传输层(HTL, hole transport layer)，是有机电致发光器件主要有机功能层。典型有机电致发光器件结构：

(1) 双层A 型(double layer-A 简称DL-A)

此器件结构是由美国柯达(Kodak)公司所提出，最主要的特点是发光体(emitter)也具有传输电子的能力。标准器件的结构由下而上分别为ITO(阳极)/HTL/ETL(发光体)/阴极金属，最著名的例子为：玻璃基/ITO/NPB/Alq/Mg:Ag。

DL-A 型图：


(2) 双层-B 型(double layer-B 简称DL-B)

此组件结构是由日本九州大学的Saito 教授组提出，最主要的特点
是空穴传输材料可当发光层(emitter)。发光的区域不仅在靠近HTL/ETL
之接口上,且可由扩散方式将发光区域扩散至整个HTL。标准器件的结构
由下而上分别为玻璃基板/ITO/HTL(发光体)/ETL/阴极金属。

DL-B 型图：


(3) 三层A 型(three layer-A 简称TL-A)

这种器件结构也是由日本九州大学的Saito 教授组所提出，最主要的特点是在HTL/ETL 之间置入一层发光层，这层发光层薄得像Langmuir-Blodgett film 一样，使得激子(exciton)被局限在此层产生强烈的发光。其标准器件的结构由下而上分别为： 玻璃基板/ITO/HTL/EML/ETL/金属阴极

TL-A 型图：


(4) 三层B 型(three layer-B 简称TL-B，)

这种组件结构是由日本山形大学的Kido 教授组所提出，器件结构与TL-A 相似。但最主要的特点是在HTL/ETL 之间的激子限制层(excitonconfinement layer 简称ECL)。激子限制层的厚度可以调节发光位置，可以认为的控制他向两侧中的一侧发光或两侧发光，若将ECL 调整合适，可使激发子同时在HTL 及ETL 生成，让HTL 及ETL 同时发光，而将发光混成白光。其标准组件的结构由下而上分别为： 玻璃基板/ITO/HTL/ECL/ETL/金属阴极。

TL-B 型图：


（5）含有染料的掺杂型结构

荧光染料或掺杂在电子传输层或掺杂在空穴传输层与电子传输层的混合层中目前这种结构的稳定性最高。其标准组件的结构由下而上分别为玻璃基板/ITO/HTL/DEL/ETL/金属阴极。

需要注意的是电子和空穴的阻挡层，尽管在很多情况下电子和空穴的阻挡层也同时起到电子和空穴传输层作用，但在很多情况下也需要另加。对于电子和空穴的阻挡层性能应满足以下基本要求：它分别直接与空穴传输-发射层和电子传输-发射层接触，并且本身具有比其它材料宽的禁带；分别具有高的电离能和高的电子亲和能。

（6）特别的有机电致发光器件

Fuji 等人设计出一种单量子阱结构的OLED 器件, 可描述为:ITO/TPD/超薄Alq/TPD(可变)/Mg:In。他们发现随着电压的升高,发光颜色由蓝到绿,复合移向ITO 电极。最近他们用分子束沉积法装配了间隔多层结构的OLED 器件,利用这种结构,实现了呈各向异性的发光器件。另外Ohimori 等人以Alq/TPD 装配了多量子阱(multiple quantumwell)(MQW)结构的OLED 器件。当MQW 结构中的Alq 层厚度在10～20 nm时,表现出最有效的发射性质,这一发现跟Tang 以前的报道相一致。