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1). 双极型线性集成电路：
| 第1部分 | 第2部分 | 第3部分 | 第4部分 |
| 2个字母 | 2个数字 | 2个数字 | 1个字母 |
例 AN 12 34 S
a. 第1部分：双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照电路类型而划分的，
双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）：AN 、数字集成电路：DN、MOS电路：MN、 EP两个字母表示微型计算机或小批量生产
b. 第2部分：这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用集成电路，在数字后面加上1～2个字母作为特性的区分（常规的集成电路不用这些字母。对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。第2部分的数字与其应用领域有关,例：
第2部分数字 应用领域
10～19 运算放大器、比较电路
20～25 摄像机
26～29 电视唱片
30～39 录像机
40～49 运算放大器
50～59 电视机
60～64 录像机及音响
65 运算放大器及它
66～68 工业用及家用电器
69 比较器及其它
70～76 音响方面的用途
78～80 稳压器
81～83 工业用及家用电器
90 三极管阵列
c. 第3部分：用二位数字，其范围一般为00～99，例如AN4321
d. 第4部分：一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。
例 AN××××S：字母S是指小型扁平封装；AN××××K：使用收缩双列直插式封装；AN××××P：使用普通塑料封装；
AN××××N：字母N表示改进型
e. 其它：OM200：（助听器）是上述线性集成电路标志的例外。
2）数字集成电路：
DN68××（4个数字）：霍尔元件集成电路（3端）
DN84××（4个数字）：逻辑集成电路
DN85××（4个数字）：预定标电路等
DN86××（4个数字）：三极管阵列
DN74LS××（×）：通用型小功率TTL电路系列（LSTTL）74表示通用型，该系列LSTTL最多可用三位数字
3). MOS集成电路：
第1部分 第2部分 第3部分
2个字母 4或5个数字 1～3个字母
例 MN 8037 S
a. 第1部分：MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路 ,EP两个字母表示微型计算机或小批量生产
对于高速标准逻辑电路，在这部分用标志74HC作为数字的前缀，此时，可用2～4个数字。
b.第2部分：这部分所用的数字表明应用领域，例：
第2部分的数字 应用领域
1000～1999※1 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器
2000～2999※2 掩膜只读存贮器，电可编程只读存贮器
3000～3399 漏斗式电荷耦合器件（BBD）
3600～3699 电荷耦合器件（CCD）线性图像传感器
3700～3799 电荷耦合器件（CCD）固态图像似感器
3800～3899 电荷耦合器件（CCD）视频信号延迟元件
4000～4999 CMOS4000系列存贮器（动态随机存取存贮器，静态随机存取存贮器）
5000～5999 计算器
6000～6999 视频、时钟、通讯
7000～7999 特别用途
8000～8999 通讯、控制器、电荷耦合器件
9000～9999 ――
5000～※3 门阵列
70000～ CMOS标准电池
※1．关于微型计算机，根据其功能可使用5位数字，MN512K（图像传感器）只有3位数字。
2．关于通用存贮器，有时可用5位或6位数字（与其它公司共同的数字）。
例： MN41256……256K位动态随机存取存贮器
MN234000……4兆位掩膜可编程只读存贮器
3．关于门阵列（用5位数字表示50000－）其最后2位表示门电路数目。
例： MN51040……4000个门电路。
c．第3部分：这部分一般不用，除了功能相同而包装不同用来区分其封装型式（通常为P或S）或是基本功能相同只少许功能不同作为区分时（通常用A、B、C等）。
封装的分类：
例1：MN××××P，字母“P”表示以前为陶瓷或金属封装，现已改为塑料封装。
例2：MN××××S，字母“S”表示小型扁平封装。
