为什么功放板上MOS场效应管容易被击穿呢？因为MOS场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。图1是N型沟道MOS场效应管的结构示意图。它的栅极是从氧化膜引出的，栅极与源极、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管亦因此得名。MOS场效管的栅极与衬底之间隔着一层氧化膜如同电容器结构一样。当栅极与衬底之间的电压超过一定的限度时，就会引起氧化膜的击穿。

　　那么，多大的电压才会使氧化膜击穿呢？从半导体物理实验知道，使氧化膜击穿的电场强度Eb值在5×10（6次方）～10x10（6次方）V/cm之间，而氧化膜的厚度约在1000～2000埃之间。因此氧化膜击穿电压的范围就大致如图2所示。

　　对于厚度为1000埃的氧化膜来说，击穿电压在50V～100V之间。从表面上看这个击穿电压的值比一般小型电解电容器的耐压还高，但是它与小型电解电容器有很大不同。其一，它的电容量非常小，只有几皮法；其二，它的绝缘电阻，也就是输入电阻非常高，可达10（14次方）Ω以上。由于绝缘电阻非常高，栅极上的电荷很难漏掉。

　　同时因电容量非常小，由此少量的电荷就能产生很大的电压。若功放板MOS场效应管的管脚间一旦沾上灰尘，电气间隙变小，这样只要有少量的电荷跑到栅极上或者外界感应都可能产生很高的电压而引起氧化膜的击穿（如馈管的泄漏电流，雷击产生的感应电流等），一旦发生这种击穿，MOS场效应管就烧毁了。