这类常见的故障有BIOS资料错误，内存槽的捕针或内存槽周边的MOS管及各种lC及贴片电容、电阻有问题造成的，内存的工作电压及频率失常也是导致该故障的原因之一。首先要用有正确资料的BIOS块来对原来的BIOS块进行替换或重新进行刷新，也可用BIOS仿真长来确定是否BIOS资料不良。上述情况无问题后，检测内存槽的插针是否有弯脚、氧化、烧伤，周边MOS管及各种IC及电容、电阻等是否有击穿、开路、短路故障。若均没发现问题，可测量内存的工作电压及频率信号。目前市场上多采用DDR内存，与SD内存的检修方法基本相同，无论是哪一种内存它的工作电压多为2.5V～2.6V之间，DDR内存的工作频率需根据主板设置和本身的不同而不同，一般为100/133/166/200MHz。DDR内存的工作电压和频率测试点在内存槽背板上，有三组共六个LLK频率点，其中任何一个点有问题均会导致内存还过。如果经检查DDR内存的工作电压正常，还须检查DDR内存的VTT电压，可在内存下方的排阻上测到此电压，一般为1.26V~1.35V，该电压是由一个专门芯片或MOS管转换得来的，多设置在内存槽的周边，很容易找到。

　　频率方面故障引起的内存不过是比较少见的，多是时钟芯片不良所致。除上述检查外，内存不过还需检查以下几个信号点，它们是DDR槽正面①脚的VREF电压，因它是内存的参考电压，正常状态下为内存供电的1/2，大约为1.26V~1.35V。再一个就是其(91)脚的SMBDATA和(92)脚的SMBCLK信号电压，该两脚的信号是为主板运行提供必需的12kHz总线信号，实测电压为3V～3.5V，最后测(84)脚的VCC-SPFD电压，它是内存SPD芯片的工作电压，为2.5V~3.3V左右，这部分电路多数都是断线造成的。如果检查电压和频率都无问题，则需检查内存的CAS#和RAS#信号，分别可在内存槽的(65)脚和(154)脚测量到，因这两个信号是低电平有效的信号，检查时主要看这两个信号是否能有高低电平变化。经上述检查还是没有发现故障点时，可查北桥到内存中间的排阻上的AD信号是否正常，主要检查排阻或北桥线上是否有连锡、开路，排阻损坏或北桥空焊等。不过内存多数可以依据故障代码来判断故障部位并加以排除。例如代码为A7、BO时，在BIOS正常情况下，多数是由于V7T-DDR电压失常或北桥不良所致。代码为D4时，多是北桥不良引起的。代码为DE时，多是SMBDATA和SMBCLK两个信号失常造成的。另外，I/O与电压、温度、风扇监控相关的各引脚信号不正常也会导致内存不过故障。