在应用中，如果 IGBT 管的栅极回路处于开路状态，在主回路上加上电压时，也将导致 IGBT 管损坏。为防止这类情况发生，应在 IGBT 管的栅极和发射极之间接一只 10 kΩ 左右的电阻。为防止因静电而造成

IGBT 管损坏，在 IGBT 管应用中应注意以下几点：

①在使用模块时，手持 IGBT 管组件时，请勿触摸驱动端子部分。

②在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，不要先接上模块。

③尽量在底板接地良好的情况下操作。

④当必须触摸 IGBT 管的驱动端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻 (1 MΩ 左右) 接地进行放电，然后再触摸。

⑤在焊接作业时，电烙铁容易产生感应电压。

为了防止感应电压的产生，应使电烙铁处于良好的接地状态。

( 3）过热损坏

可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇冷却，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。

8. I GBT 管过电压保护电路

( 1) I GBT 管栅极过电压保护

IGBT 管的栅极—发射极驱动电压 UGE的保证值为+20 V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏 IGBT 管。因此，在 IGBT 管的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。

另外，若 IGBT 管的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，栅极电位升高，集电极—发射极间有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态，可能会使 IGBT管发热甚至损坏。如果设备在运输或震动过程中使得栅极回路断开，在不经检查的情况下就给主电路加上电压，则 IGBT 管可能会损坏。IGBT 管的栅极出现过电压的原因有两个：

②     电聚积在栅极电容上引起过电压。

②电容密勒效应引起的栅极过电压。

为了防止 IGBT 管的栅极—发射极间出现过电压，应在 IGBT 管的栅极与发射极间并接一只几十千欧的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

( 2) 集电极与发射极间的过电压保护

IGBT 管的集电极—发射极过电压的产生主要有两种情况：一种是施加到 IGBT 管的集电极—发射极间的直流电压过高；另一种为集电极—发射极上的浪涌电压过高。

对于 IGBT 管关断过电压和续流二极管反向恢复过电压，采用缓冲电路是抑制集电极—发射极间过电压的有效措施。缓冲电路之所以能减小 IGBT 管集电极—发射极间的过电压，是因为它给回路电感提供了泄能回路，降低了回路电感上电流的变化率。抑制过电压的器件有：

①金属氧化物压敏电阻。金属氧化物压敏电阻是一种良好的电压尖峰抑制器件，它的响应时间为毫秒级，能抑制宽度很窄的尖峰电压。金属氧化物压敏电阻具有通流容量大(500～5000 A)，平均漏电流小(几微安)，使用电压范围宽(30～1500 V)，体积小，可靠性高且价格便宜等特点。但它能抑制的尖峰电压宽度不能过大，否则压敏电阻将会因功耗过大而烧坏。

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