首 页文档资料下载资料维修视频汽修在线平台
请登录  |  免费注册
当前位置:精通维修下载 > 文档资料 > 家电技术 > 彩电技术
谈“屡损功率管”有感
来源:本站整理  作者:佚名  2016-02-20 09:05:52

    电磁炉是大功率厨房家电,2000多瓦的功率在220V交流供电下,电流在10A左右(这是平均值,峰值还要大许多),这个电流绝大部分是通过整流全桥的。大家知道,整流全桥是由4只二极管组成,在交流电的正负半周轮流两只导通两只截止,计算功耗时可以只按两只二极管算,如果按每只二极管正向导通压降0.9V-1V(10A电流下),计算全桥的功耗为19W-20W,可能比IGBT功率管的功耗还要大,所以除了在全桥上安装大散热片外还要加风扇。
    衡量全桥质量的指标数据很多(但和陶冰先生文中说的功率因数无关),在50Hz市电情况下,主要有关VM(最大允许反向电压)、IM(最大允许通过电流)及额定电流下的正向导通压降三项指标。
    标准的耐压测试接线如图1所示,慢慢增加电压,当反向电流达到规定值时(D25XB80在25“时是5 RA) 、此时的电压就是该二极管的反向击穿电压。由于生产时的不可控因素影响,即使是同型号同一批产品,其耐压指标的离散性也很大,其反向击穿电压曲线也有所不同,有的击穿曲线很陡,反向电压稍超过击穿点反向电流急剧增加;有的击穿曲线较缓,反向电压达到击穿点后反向电流增加稍缓,如图2所示。在具体应用中,前者如果耐压余量不够大,稍有冲击可能马上烧坏;后者如果冲击峰值时间很短或许还能“逃过一劫”。另外,击穿电压和元件的温度有关系,当元件温度达100℃时,击穿电压将大幅降低。

      半导体元件能够通过的最大电流取决于很多因素,如频率高低、环境温度、散热条件、材料与制作工艺等,但主要是由硅芯片的面积大小决定,一般来说,芯片面积越大,允许通过的电流就越大。
    导通电压与半导体材料和工艺结构有关,芯片面积大小与和导通电压基本无关,但与导通以后的压降(即导通电阻)密切相关。同样的材料,大芯片比小芯片导通电阻小,但导通电阻似乎与元件的耐压成反比关系,即双极型和场效应功率管耐压越高,导通电阻就越大,所以选元件时不能认为耐压越高越好。
    配件店里的全桥来源复杂,有的可能是生产厂家筛选下来的次品,有的可能是用小芯片封装的以次充好的伪劣品。这些元件如果是耐压不达标,可能上机就烧或使用不久烧坏。如果是用小芯片以次充好,即使耐压是达标的,短时间和较低功率下也能正常工作,但长时间满功率下就会因过热烧坏。在具体挑选时,首先要耐压达标,因为元件是大芯片还是小芯片从外部是看不出的,可以在耐压达标的元件中用指针表Rx1挡测全桥内部二极管的正向电阻,应该是越小越好,因为Rx 1挡电流较大,测正向电阻时可以有所区分。但是由于指针表的分辨率不高,只有二极管正向电阻差别较大时才能分辨,笔者用DT930F+数字万用表二极管挡测不同型号电磁炉全桥正向压降,见表1。从数据看,不同型号全桥正向压降和耐压高低没有规律关系。

    陶冰先生用指针万用表Rxlk挡测出的二组数据就是全桥中一个和二个二极管串联的正向电阻,他认为正向电阻较高的耐用,这可能和正向电阻较大的元件耐压较高有关,但是小芯片相比大芯片在同样耐压的情况下正向电阻肯定要大一些,所以认为正向电阻较大的耐用,只是从耐压角度得到的结论,即依据正向电阻大小来挑选全桥并不可靠。

    另外,硅材料二极管的正向导通电压和温度密切相关,大约为-2mV/0C,如果温度相差20℃正向电压要相差40mV,即在温度差别较大时,比较正向电阻大小是没有意义的。
    这里顺便介绍一个简易耐压测试仪,这是一个3倍压整流电路,可以测800V以下耐压的元件,由于有两只1.5MΩ的限流电阻,最大输出电流小于300μA,虽然直接对AC220V整流,但不必担心触电,也不会烧坏被测元件。当把开关置于300V挡时,可以测中低耐压半导体元件的耐压,还可测液晶电视LED背光灯条,以及稳压管电压值等。须注意的是,测场效应管D、S极间耐压时,需把G、S极短路,否则会误认为管子击穿了。
 

关键词:

相关阅读

文章评论评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!

   评论摘要(共 0 条,得分 0 分,平均 0 分)
Copyright © 2007-2017 down.gzweix.Com. All Rights Reserved .
页面执行时间:51,636.72000 毫秒