Abstract— 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3 mA/µm²时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型  = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 ºC, JC = 2.0 mA/µm²) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3层互联金属，包括2级电阻和MIM电容。在3”生产线上这种IC 技术已被用于制造Agilent Technologies instrumentation 产品。

关键词—DHBT, 磷化铟, 晶体管, 测试仪器，GaAsSb

I. 简介
一种用于射频和微波测试仪器的高性能GaAsSb基区，InP集电区双异质结双极晶体管集成电路（DHBT IC）工艺被成功研发。其特有的高射频功率和单位面积增益，出色的增益和开启电压一致性，大的跨导，低的1/f 和相位噪声使得HBT IC成为一种对于测试仪器极具吸引力的先进技术。

InP 技术拓展了原有InGaP/GaAs 异质结双极晶体管集成电路HBT IC技术 [1][2]， 在不牺牲可靠性和可制造性的基础上使得测试仪器的性能达到67GHz和54Gb/秒。 与GaAs相比InP具有非常优异的材料特性，例如更高的饱和及峰值电子速率，更高的热导率，更低的表面复合速率，以及更高的击穿电场强度。然而，在传统的GaInAs 基区/InP 集电区双异质结双极晶体管DHBT中存在集电结异质界面导带不连续。解决这种 I 型半导体能带结构所带来的问题需要认真设计能带梯度以消除低偏置下集电区电子的阻塞。 与之相比，选择GaAsSb作为基区，InP 作为集电区能够形成没有阻塞效应的

 II 型半导体能带结构，同时保持窄的基区带隙所具有的低开启电压和低功耗特性[3]. 结合其在复杂电路中良好的热学特性，以GaAsSb/InP为 基区/集电区的高速、高击穿电压异质结双极晶体管HBT非常适用于测试仪器产品。

II.    制备工艺
制备工艺采用1 µm 临界尺寸G-线分步光刻。在半绝缘InP衬底上通过分子束外延方法生长异质结双极晶体管 HBTs各外延层，形成 1 × 3 µm² 最小尺寸发射极和自对准蒸发基极金属电极。 采用选择性和非选择性湿法腐蚀工艺，以及非选择性Cl2/Ar-基电感应耦合等离子体(ICP) 干法刻蚀工艺制备发射极台面，基区欧姆接触电极，基区/集电区台面，次集电区隔离台面。等离子体增强化学气相淀积（PECVD）Si3N4 作为钝化介质。晶体管集成了22欧姆/sq Ta2N 电阻， 250 欧姆/sq WSiN 电阻和PECVD淀积Si3N4 的0.58 fF/µm² 金属-介质-金属MIM 电容。聚苯丙环丁烯（BCB）用来实现器件表面平坦化，发射极、基极、集电极欧姆接触电极以及其他无源单元通过电极孔淀积金属实现金属互联。金属互联采用3层TiPtAu：前两层为6 µm 电极接触孔，第三层为8 µm电极接触孔(Fig. 1)。衬底被减薄到90 µm.。通过刻蚀背面通孔和电镀金实现背面接地(Fig. 2)。背面通孔通过掩膜版和HBr-基ICP刻蚀实现[4] 。
  文献[5] [12]介绍了一些其它InP 双异质结双极晶体管集成电路DHBT IC技术，它们都采用GaInAs 作为基区。 GaAsSb-基区双异质结双极晶体管DHBT在高速射频分立器件[13][14]和集成电路 [15][16] 方面均不断地有相关的研究结果予以报导。本项工作首次报导了在生产环境下制备的具有高击穿电压，200 GHz工作，以GaAsSb为基区的 InP双异质结双极晶体管集成电路 DHBT IC工艺。

III. HBT 直流和射频特性

典型HBT 共发射极直流特性 (集电极电流—集电极偏置，基极电流间隔30 µA)显示出这些器件具有良好的电流-电压特性 (Fig. 3)。在工作电流密度为1.5 mA/µm²下，HBT 器件实现了fT = 185 GHz，fmax = 220 GHz 以及峰值 fT > 200 GHz。 在比InGaP/GaAs HBT 大的多的电流密度范围内截至频率保持在很高的水平(Fig. 4).
共基极模式开态击穿压(BVcbx)发生在集电极—基极电压为9 V，集电极电流为JC = 1.3 mA/µm²时。共发射极模式开态击穿(BVceo) 发生在集电极—发射极电压接近7V时。
IV. 可生产性

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