电路由线性稳压电源供电(+VIN、-VIN)，供电电压VIN应能满足：VlN≥VBTA+VDs。其中VBAT为充电电池电压，VDs为功率场效应管的管压降。在充电电流为0．5A情况下。为保证N沟道MOSFET(IRF7201)导通，充电器输入电压与输出电压之差(VIN-VBAT)至少应为2．2V。

    充电电流ICH与电流取样R3(Rcs)和R4有关，其关系式为：VDs=1/3×R4/80KΩ×VCTRL。式中80kΩ为片内电 阻，vcTRL为外加的控制电压。在取R3=0．25Ω、R4=20kΩΠ时，IcH与VcTRL呈线性关系，VcTRL按O～1．2V变化时，IcH按0—1．2A变化。⑤脚输入的VcTRL控制电压，由⑦脚输出的2．0V基准电压经电位器RP中心头取出，调整RP可获得不同的充电流。

    终止电池充电电压由外接电阻R1、R2组成的分压器决定。即VBAT=2V×(R1/R2+1)。R5和C3具有电流环路补偿和高频纹波滤波双重作用，R6和C4组成RC串联电压环路补偿网络。ADP3811④脚输出4～6mA驱动电流，经2N3904(VT1)驱动IRF7201(vT2)。当R3检测到韵充电电流超过限制值时，片内放大器使④脚输出电压增加，VT1集电极电压即VT2栅极电压(UGS)下降，从而减小并稳定充电电流。VT2的管耗为：(VIN-VBAT】×IcHo因此，要根据VBAT来选择合适的输入电压VIN并根据管耗选择MOSFET(必要时应加合适的散热片)。