fosc=25000/[RTkΩ+22](kHz)   (4)

若fosc选100kHz，代入式（4），RT=228kΩ。

4 检测电流（IOmax）电阻RCS的计算

RCS与流过LED的电流IOmax（ILEDmax）的关系式为
RSC=0.25/(1.15×IOmax)(Ω)    (5)

例如，IOmax=0.35A，则代入式（5），得RSC为0.62Ω。

5 电感器L1的计算
电感器的电感量取决于流过LED的纹波电流。若纹波电流占ILED的30%（±15%），L1的计算式为
（6）
式中，VLINEnom为输入交流市电的额定值，即VLINEnom=220VAC。
若VOmax=40V、VLINEnom= 220VAC、IOmax=0.35A、fosc= 100kHz，则L1=3.31mH，可取3.3mH。
电感的峰值电流IP为
IP=IOmax×1.15（A）          (7)
则在IOmax=0.35A时，IP=0.35 ×1.15=0.4A。
在选择3.3mH电感量时，其饱和电流应大于IP×1.3。即饱和电流应大于0.4A×1.3＞1.52A。

6 选择开关管Q1及续流二极管D1
开关管为N沟通功率MOSFET,其最大的耐压VFET(VDSS)为

VFET=1.5（VLINEmax）(V)      (8)
若VLINEmax=242V，则VFET为513V。

MOSFET最大的漏极电流IFET（ID）=IOmax×(A)                (9)
若IOmax=0.35A，则IFET为0.247A。但在选择Q1时，其ID要选约为3倍的IFET，即选ID=1A的MOSFET。
为减小开关管Q1的损耗，应选择导通电阻RDS(ON)小（一般取RDS(ON)＜1Ω）、栅极电容Qg小的MOSFET，可提高转换效率并可减小散热片的尺寸。

图4 外部器件的选取

根据上述计算可选择STD5NM50，其主要参数为：VDSS=500V、RDS(ON)＜0.8Ω、ID=7.5A，Qg=13nC。
续流二极管D1的耐压与VFET相同，其电流IDIODE为
IDIODE=0.5×IOmax（A）       (10)
可选择600V/1A的快速恢复二极管，如STTH2R06。其主要参数：VRRM=600V、IR(AV)=2A、VF=1V、trr=35ns（典型值）。

恒定关断时间模式的参数选择
这里举例说明恒定关断时间模式的参数选择及计算。输入时直流电压，其额定值是12V，允差为+4V、-3V，即VINnom=12V，VINmin=9V，VINmax=16V。负载为两个串联的1W白光LED，其VF=3.4，即VINmin=4.6V、Vonom=6.8V，Vomax=8V；Iomax= 350mA。期望的效率η=0.85。其电路如图5所示。

图5 HV9910B应用电路

1关断时间tOFF的计算
关断时间tOFF为
tOFF=(1-VOnom/VINnom)×1000/foscnom(μs)                     (11)
式中，foscnom为开关管频率的额定值。若foscnom设为100kHz，则tOFF=4.33μs。

2 RT的计算
RT的计算公式为
RT=(tOFF×25)-22(kΩ)       (12)
将tOFF代入式（12）得
RT=(4.33×25)-22=86.25kΩ

3 电感L1的计算
设输出电流中纹波的峰值为30% IOmax，则L1可按下式计算。
L1=（6.8×4.33）/(0.3×0.35) =280.4μH
可取标准值330μH的电感，其饱和电流取1.3倍IOmax以上，可取330μH/0.6A的电感。

4 电阻RCS的计算
RCS=0.25/(IOmax+Vonom×tOFF/2L1)(Ω)                           (14)
在本例中，代入已知数得RCS=0.63Ω。
5 开关管Q1及续流二极管D1的选择
开关管Q1的耐压VFET=1.5VINmax，其IFET=IOMAX×。按已知条件代入得VFET=24V、IFET=0.33A。一般选MOSFET的ID＞3IFET,VDSS取大于VFET的N-MOSFET,如FDS8447或FDCS5612。
续流二极管的耐压与MOSFET相同，电流可取1A的肖特基二极管1N5819（40V/1A）。
在恒定管段时间工作模式中，开关管的工作频率不是恒定的，随VI、VO的变动而变动，所以设定的开关频率foscnom是个恒定值。

结语
本文介绍的电路仅仅是个LED驱动电路，完善的电路应有EMI滤波电路及功率因数校正电路。220V市电的应用电路是个非隔离型LED驱动电路，在试验、调试、测量时要注意安全，必须关断电源（220VAC）后才能更换元器件，以防止触电！