SOIC-8DIP SOIC-16 符号 功能
1 1 VIN 工作电压输入端8～450VDC
2 4 CS ILED检测端，外接电流采样电阻RCS到GND
3 5 GND 电源地，也是内部电路的地
4 8 GATE 外接MOSFET开关的栅极
5 9 PWMD PWM调光输入端，也是使能端。此端加高电平时，GATE端输出高电平，MOSFET导通；此端加低电平时，MOSFET关断，无输出

6 12 VDD 内部7.5V稳压电源输出端，此端接一个低ESR的电容到地（电容量2.2～4.7μF），采用多层陶瓷电容（MLCC）

7 13 LD 模拟调光输入端，输入0～250mV调光电压，调节LED亮度
8 14 RT 外接开关管工作频率设定电阻RT。恒定频率模式时，另一端接地；恒定关断时间模式时，RT另一端接GATE

主要参数
HV9910B的主要参数：输入直流电压VIN=8～450V；关闭模式时（PWMD端加低电平）耗电0.5～1mA；内部稳压电源输出电压VDD=7.5V±0.25V；欠压锁存阈值电压VUVLO=6.7V（典型值）；PWMD的高电平电压VEN(H)＞2V、PWMD端的低电平电压VEN(L)＜0.8V；输入低频PWM信号，改变占空比可调光；电流检测端（CS）的阈值电压VCS(TS)=250mV；内部消隐电路延迟时间TBLANK=215ns（典型值）；振荡器频率fosc取（25～150）kHz；内部MOSFET驱动电流为±165mA；栅级输出的上升、下降时间典型值为30ns。

两种工作模式的选择
HV9910B有恒定频率模式及恒定关断时间两种模式，选择何种模式取决于驱动器的输出电压VOUT(VLED)与输入电压VIN的比值。在降压式架构中，VIN总是大于VOUT，其比值即占空比D=VOUT/VIN。若D＜0.5时，采用恒定频率模式；若D＞0.5时，则采用恒定关断时间模式。如果在D＞0.5时仍采用恒定频率模式工作，驱动器将进入次谐波振荡状态，将会引起输出电流下降及纹波电流增加的不稳定状态。
采用恒定频率模式如图2所示，RT接在RT与GND之间；采用恒定关断时间模式时，RT接在RT与GATE之间，如图3所示。

图2 恒定频率工作模式

图3 恒定关断时间工作模式

恒定频率模式的参数选择及计算
一种市电220VAC供电按、恒定频率模式工作的LED驱动电路如图4所示，该电路不调光，LD端及PWMD端必须接VDD。有关参数及选择及计算如下。

1全波整流桥（或整流二极管）的选择
全波整流桥的耐压VBRI及正向电流IBRI的计算公式为
VBRI=1.5(√2 VLINEmax)      （1）
IBRI=VOmax×IOmax/VINmin×η （2）
式中，VLINEmax为最大市电电压、VOmax为输出最大电压、IOmax为输出最大电流、VINmin是输入最小直流电压、η为驱动器的转换效率（η一般在0.85～0.9之间）。公式（1）中的1.5是安全系数。

例如，采用220V市电，有±10%的允差，即VLINEmax= 242VAC，VLINEmix=198VAC，则VBRI=1.5×(√2×242）=513.2V。若VOmax=40V，IOmax=350mA，VINmin=√2 198V，η=0.85，则IBRI=40V×0.35A/√2 ×198×0.85=0.06A。因此可选600V/0.5A的全桥，或选4×4007二极管组成全波整流电路。

2 滤波电容C1的计算
全波整流后的电压波形是“馒头波”，需滤波电容C1作平滑滤波，C1的计算公式为
  (3)
式中，freq是市电的频率（freq=50Hz）。
若VOmax=40V，IOmax=0.35A，VLINEmix=198VAC，VINmin=×198V，η=0.85，则带入式（3）得，C1≥13.9μF。则可取10μF/400V的铝电解电容器和4.7μF/400V的铝电解电解并联。如果要求驱动器体积小，则可用1个10μF/400V，其输出纹波稍大些。