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使用低侧PWM IC的降压转换器
来源:本站整理  作者:佚名  2009-07-09 10:53:58



最常见的开关电源结构是降压转换器,它能高效地将高电压转换为低电压。图1给出了一个典型的降压转换器,其中N沟道MOSFET Q1需要一个浮栅驱动信号。浮栅驱动是PWM(脉宽调制)控制器IC的一部分。根据控制器的设计,Q1可以是N沟道或者是P沟道。遗憾的是,IC的额定电压必须与输入电压同高,这限制了它可以处理的极限最高电压。

图1使用PWM控制器和MOSFET的典型降压转换器


  图2中的电路采用一个简单的电压电平移位器,用一个降压转换器控制一个带低侧IC的导通晶体管,该IC有以地为基准的栅极驱动。由于PWM IC中的电平移位电路不用承受大电压,因此可以实现任意高输入电压的转换器。

图2电平移位电路为一个降压转换器的高边FET提供低侧控制


  带低侧栅极驱动的PWM IC可以为N沟道MOSFET供电,当它们有正的栅源电压时导通。图2中的电路使用P沟道器件作高侧MOSFET;它在栅源电压为负时导通。因此,必须将来自PWM控制器的控制信号作反转。Q2和Q3构成的MOSFET图腾柱结构也能工作,不过也可以采用一个反相栅极驱动器。

图3另一种降压转换器用低侧PWM IC控制MOSFET Q1


  电容C2完成电平移位功能。它的值必须足够大,从而在开关频率下维持自己的电荷,而其电压又要足够小,跟得上输入电压的变化。电阻R1和P沟道MOSFET Q3将C2充电至电压VC=VIN–VCC,其中VC是C2的电压,VIN是输入电压,而VCC是Q2和Q3图腾柱结构及PWM IC的供电电压。供电电压必须低于齐纳二极管D2的击穿电压。另外,每当Q2导通时电流都会流经D2和C2,降低了效率。D2将C2的电压限制在上式中的值。当Q3导通时,如果试图升压则D2变为正偏。当Q3导通时,该电路在Q1栅源极之间施加的电压为0V,当Q2导通时加的电压为–VCC。

图4图3中降压转换器电路的电压波形显示为短的上升和下降时间的干净电压


  电阻R1亦确保了Q1栅源电容的放电,当图腾柱输出电压为高时,它保持Q1的关断。二极管D2将Q1的栅源电压限制在12V,无论电路输入电压是多少。电容C2对Q1的栅极驱动脉冲是透明的,因此电路的栅极驱动能力与图腾柱电路本身一样好。因此,电平移位对于电路可以驱动的MOSFET大小没有限制。

  图3表示一个采用这种方案的实际降压转换器。转换器的输入电压为18V~45V,其输出电压在1.5A输出电流时为12V。转换器使用美国国家半导体公司的LM5020-1反激/升压/正激/SEPIC(单端初级电感转换器)PWM控制IC。

  图中保留了为前图而设计的元件,但增加了一些功能,如C9的输入电压过滤,R2和R7的输入欠压锁定,C3的软起动功能,12.7 kΩ R3的500 kHz开关频率设置功能,C7、C8和R6的反馈补偿,以及R9和R10的输出电压设置。

  LM5020-1提供了电流模式控制,但在本电路中,它采用的是电压模式控制。一个峰值为50μA的内部锯齿波电流源用于电压的斜升,为一个电流信号增加斜率补偿。这个电流流经5.11kΩ电阻R4和一个2kΩ的内部电阻,在CS脚(Pin 8)产生一个50μA × (2kΩ + 5.11kΩ)≈ 300 mV的峰峰值电压。COMP脚(Pin3)将这个锯齿波与COMP脚的输出误差电压作比较,为Q1生成正确的占空比信号。

  图4是电路的开关波形。示波器通道1(下方曲线)表示LM5020-1生成的栅极驱动信号。通道2(中间曲线)表示相应的图腾柱输出电压。通道3(上方曲线)表示Q1栅源之间的电平转换后图腾柱输出电压。Q1栅源电压的峰值等于输入电压,其波幅大约为8V,即LM5020-1内部产生的供电信号值。所有波形都很清晰,上升与下降时间均很短。该电路的满负荷效率在输入电压为18V和45V时分别为86%和83%。

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