该电路采用CSMC公司0．6／μm的工艺，仿真使用49级模型，得到以下结果：
    (1)温度系数。仿真是在输入电压4．0 V，温度为-40～+100℃的条件下进行的。从图3中可以看到基准电压从-40℃的0．963 32 V变化到30℃时的0．962 35 V，因此该基准的温度系数为(ppm／℃)：
   
    (2)基准电压的电源抑制比。基准电压的电源抑制比如图4所示。

    从图4和图5可以看到，如果没有增加M2，低频时的PSRR只有-90 dB，高频时则大约为-75 dB，电源抑制比的特性不是很好；如果增加了M2管，低频时的PSRR为-120 dB，高频时也能控制在-90 dB内，电源抑制比得到了极大的提高。

    (3)基准电压的线性调整率。图6为基准电压的线性调整率特性曲线。从图6中可以看到，基准电压的线性调整率随温度的上升而减小。在25℃时，基准电压从输入电压2．5 V对应的1．027 952 V变化到输入电压5．5 V对应的1．027 982 V，其线性调整率为：

3 结 语
    在此分析介绍了一种低功耗基准电压源电路的设计方案，该电路的最大功耗小于1μW，温度系数为21 ppm／℃；同时由于电路结果较简单，易于集成，已经用于电池充电保护芯片。