4)栅极驱动
    栅极驱动输出按电流最优化结构设计，可以以较高的开关速度直接驱动大容量MOSFET的栅极。芯片内部的嵌位将MOSFET栅极上的电压嵌位在12．5V，外部的栅极驱动电阻RGATE限制了栅极驱动电路的寄生电感及寄生电容的上升时间，并且抑制了振铃，从而减少了电磁干扰(EMI)。
    5)电流环路和电压环路
    电流环路由芯片内部的平均电流放大器，PWM比较器和芯片外部的升压电感及电感电流检测电阻组成。电压环路由芯片内部的电压误差放大器，非线性增益和芯片外部的输出电压检测电阻组成。

2 系统的工作原理
    图3所示的电路方框图简单地描述了采用UCC28019作为控制芯片的有源功率因数校正的工作原理。栅极驱动信号由电流放大器的输出信号和电压误差放大器的输出信号经脉冲宽度比较器调制而成。当系统处于准稳态时，有：

    式中：M1为电流放大器的增益；
    M2为PWM波的斜坡坡度；
    Rsense为电感电流检测电阻；
    iLbst为电感平均电流；
    M(D)为升压变换器的电压转换比；
    M1、M2由电压误差放大器和芯片内部参考电压的差值决定，均可以控制输入电流的幅值，且两者的乘积满足一定关系。当系统处于准稳态时，输出电压为定值，M1、M2也为定值，故有控制环路强迫电感电流跟随输入电压波形以保持升压调节。又因为Uin为正弦波，因此，电感平均电流同样为正弦波。

3 电路主要参数设计
    图4为UCC28019典型应用电路原理图。
    1)开关器件的选取
    开关器件的最大峰值电流IDS_PEAK(max)可通过以下公式计算：

    
    根据输出电压的最大值及最大峰值电流，选择相应的功率场效应管。