从60年代初第一块集成电路(IC)问世起，IC中各元件之间的连线一直用着金属铝。IC的布线工艺由蒸铝和腐蚀铝(简称刻铝)工序完成。早期的铝线都做在同一平面上，称作单层连线。随着IC集成度的提高，走线越来越复杂，单层...

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在静电场影响下引起导体电荷，重新分布的现象。即在某带电体电场的作用下，导体中的自由电子进行重新分布，使导体内的电场跟着变化，直至强度减小到零为止。结果靠近带电体的一端出现与带电体所载电荷相异的电荷(束...

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了解声卡信号的处理流程吗？把流程图简化一下其实还是很好理解的。我们看看最常见的AC'97声卡是怎样的工作流程。USB声卡和某些非AC'97声卡的流程会有所不同，我们在另外的文章中介绍。 1、模拟输出和数字输出...

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　声卡的数字模拟转换工作是由CODEC芯片来完成的，但是由于电脑机箱内存在电磁波，这样会使数字/模拟、模拟/数字转换受到严重的干扰，因此许多专业音频录音卡普遍采用将CODEC外置的方法，即将数字/模拟转换部分以...

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在设计、安装一套音响系统时，不免遇到功放与音箱的配接问题。在音色方面，会注意其搭配上是否冷暖相宜、软硬适中，最终使整套器材还原音色呈中性，这仅是从艺术方面考虑。从技术方面考虑功放与音箱配接的要素有：一...

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双极集成电路是指以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元...

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SAW是SURFACE ACOUSTIC WAVE的简称，声表面波器件是利用声表面波对电信号进行模拟处理的器件，其频率范围约在107～109赫。 SAW器件是近代声学中的表面波理论、压电学研究成果和微电子技术有机结合的产物。所谓SAW...

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半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和...

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所谓半导体，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。用得最多的半导体是锗和硅，都是四价元素。将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体就是本征半导体。 半导体的导电能力在不同条件...

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随着数码相机、手机相机的兴起，图像传感器正逐渐成为半导体产品中最耀眼的明星之一，而在图像传感器中，日商所独占的CCD传感器与百家争鸣的CMOS传感器都在尽力克服自身的缺点，希望成为市场上的主流技术。 C...

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在人们的日常生活和部队的军事训练中,经常会遇到静电现象。静电是一种电能，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。人在活动时产生的静电电压从几千伏到几万伏不等. 电路板不接地,电烙铁,吸锡器...

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因为我们发电厂输送出来的都是三相电,有四根线,即三根火线一根零线。我们平时用的交流电就是其中任何的一跟火线和那根地线.零线是与大地相连的,它与大地之间的电位差是0V.另一线不与大地相连,它与大地之间的电位...

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伺服式交流稳压器的核心是一个交流调压变压器（自耦调压器），由一控制电路控制一个伺服电机，带动调压器进行电压自动调整。其特征在于稳压器有一自动回归电路，该电路依次由采样变压器、整流电路、小时间常数滤...

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交流稳压器通常是利用铁磁非线性特性构成，属于铁磁稳压器，它是由铁磁饱和元件再加谐振电容构成的稳压器。一、铁磁饱和现象 一个线圈通过电流时，线圈中便有磁场产生，描述这个磁场有两个物理量，一个是磁场强...

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变压器几乎在所有的电子产品中都要用到，它原理简单但根据不同的使用场合（不同的用途）变压器的绕制工艺会有所不同的要求。变压器的功能主要有：电压变换；阻抗变换；隔离；稳压（磁饱和变压器）等，变压器常用的铁...

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现在对数字电视还没有准确的定义，下面是五种常见的对数字电视的定义。定义一 数字电视是指从演播室到发射、传输、接收的所有环节都是使用数字电视信号或对该系统所有的信号传播都是通过由0、1数字串所构成的数字...

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摩尔定律摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登•摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，而价格下降一半；或者说，每一美元...

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DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。 DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertICal double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效...

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MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PM...

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MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC ...

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N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-I...

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如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传...

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P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的...

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SPICE器件模型为了进行电路模拟，必须先建立元器件的模型，也就是对于电路模拟程序所支持的各种元器件，在模拟程序中必须有相应的数学模型来描述他们，即能用计算机进行运算的计算公式来表达他们。一个理想的元器件...

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亚微米和深亚微米MOS器件通常把0.8－0.35um称为亚微米，0.25um及其以下称为深亚微米，0.05um及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。目前...

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击穿电压是指器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流条件下所测得的器件两端电压.它是击穿前能连续加在器件指定端的最高瞬间的电压值,是一种极限电压.超过这个电压，器件就要被击穿,如电容器内的介质将被击穿,晶体...

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双极-CMOS集成电路(BiCMOS)双极-CMOS集成电路(BICMOS)由双极型门电路和互补金属-氧化物——半导体（CMOS）门电路构成的集成电路。特点是将双极（Bipolar）工艺和CMOS工艺兼容，在同一芯片上以一定的电路形式将双极型...

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双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器件，栅极（G）基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。...

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流媒体是什么？如果问大家有没有接触过流媒体，相信答案是肯定的。不过什么是流媒体这个问题可能就没那么清楚。所谓流媒体简单的说就是利用互联网来传递并能被用户一边下载一边观看的活动媒体信息。流媒体技术一般都...

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什么是DSP？　声卡上往往可以找到一片大块头的芯片，这个一般就是DSP芯片，DSP就是digital signal processor，即数字信号处理器，各种各样的音效处理就全它他了。DSP不算很规范的称呼，真正用于正规的场合一般...

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