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(3)待机电压形成电路的保护电路
待机电压形成电路的保护电路比较完善,主要由尖峰吸收电路和过流、过压和过热保护电路组成。
① 峰吸收电路。由图 4 中 D123、R119、C127、R124 构成 T121 的初级绕组的尖峰吸收网络。
当 Z121 内部的开关 MOS 管由导通转为截止时,T121 的③脚会产生一个约两倍输入电压的尖峰脉冲。此时,D123 导通,尖峰脉冲经 D123、R119、C127、R124 回到电源,尖峰脉冲降低,使 Z121 内部的功率 MOS 管不会在 T121 的初级绕组的反峰时间损坏。
②初级过流保护电路。R126、RXl21 为过流检测电阻,当某种原因使 Z121 内部的场效应管过流时,R126、RXl21 上的压降增大,当达到预定值时,Z121 内部的比较电路翻转,使 Z121 内部的振荡电路停止工作,电源板无电压输出,进入保护工作状态(参见图 4)。
③过压保护电路。当某种原因造成输出电压异常升高时,T121 的④~⑤绕组感应的脉冲电压升高。经 D127 整流、C122 滤波、D126 隔离、D125 降压、R131 限流后的电压升高,当加到 Z121 的④脚电压达到 31 V时,过压保护电路动作,待机 5 V 电压形成电路无输出(参见图 4)。