二、存储数据原理简介
    NOR和NAND闪存都是用三端器件作为存储单元，三端分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极小。不同的是，场效应管为单栅极结构，而FLASH为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极，如图3所示。浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。

    向闪存写人数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电子注人（hotelectromnjection）和F-N隧道效应（FowlerNordheimtunneling ），前一种是通过源极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR闪存是通过热电子注人方式给浮栅充电，而NAND闪存则是通过F-N隧道效应给浮栅充电。
    在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉，这两种FLASH都是通过F-N隧道效应放电。这两种FLASH向浮栅中注人电荷表示写入数据“0”，没有注人电荷表示写人数据“1”。所以，对FLASH清除数据是写“1”，这与硬盘正好相反。
    对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于导通状态。对于浮栅中没有电荷的晶体管来说，只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施加偏置电压时，晶体管是截止的。如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于导通状态，读取的数据为“0”，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为“1”。由于控制栅极在读取数据的过程中，所加的电压较小或根本不加电压，不足以改变浮置栅极中原有的电荷量，所以读取操作不会改变FLASH中原有的数据。

    三、连接和编址方式
    两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间，并不是对每个单元进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作，为了对全部的存储单元进行有效管理，必须对存储单元进行统一编址。
    NOR闪存的各单元之间是并联的，每个存储单元以并联的方式连接到位线，以方便对每一位进行随机存取。另外，NOR闪存带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，具有专用的地址线，可以实现一次性直接寻址，可以很容易地读取其内部的每一个字节，能有效地缩短FLASH对处理器指令的执行时间。
    NAND闪存的存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干页，每页是512B，就是512个8位数（bit），就是说每个页有512条位线，每条位线下有8个存储单元，每页存储的数据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是为了方便与磁盘进行数据交换而特意设计的。也就是说，NAND闪存可以取代硬盘或其他块设备。
    在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其他的7个都加上偏置电压而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平，读出的数就是0，反之就是1。
    在实际应用中，CPU可以像普通存储器那样连接NOR闪存，并可以在上面直接运行代码，非常方便。而对于NAND闪存，因需要I/O接口，加之NAND闪存的数据的读取方法因厂家而异，所以在使用NAND闪存时，必须先写人驱动程序，才能继续执行其他操作。

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