5．存储器电路
    （1）DDR2电路
由于一该机芯的控制与图像信号处理系统的后台数据运算量较大，因此采用了4颗三星公司的16×16Bit  DDR2的SDRAM，位号分别为U10、U11、U48、U49。该SDRAM处理系统的后台数据运算量较大，的特点是时钟频率最高可到400MHz，数据传输率最高可达800Mbps。由于采用的是FBGA封装，发热量更小，功耗更低。该内存采用1.8V供电（HP＿ VCC＿ 18），为了尽可能地减少1.8V上的纹波电压，故每只SDRAM的供电滤波均采用多只电容并联的方式接地，如图11所示（C128-C134）（图中只画出了U10的供电滤波电容）。

    （2）FLASH电路
该机芯的FLASH存储器采用SPANION公司生产的4M串行FLASH，其工作电压为3.3V，如图12所示。该存储器中存储有本机的主程序及搜台、屏参数据。

上一页  [1] [2] [3]