(4)上桥臂高压侧自举电容的容量取决于被驱动的功率MOSFET管开关频率、导通和关断占空比以及栅极充电电流的需要。为了防止自举电容放电后造成其两端电压低于欠压保护动作的门槛电压值，使得IR2130关断，电容取值应较大，此功率驱动电路选择10μF的电解电容。
    (5)功率驱动芯片IR2130内部的6个驱动MOS-FET管(RFG40N10)，其输出阻抗较低，导通输出电阻rDS(ON)=0．04 Ω，直接驱动功率MOSFET器件可能造成器件MOSFET漏一源极之间的振荡。
    这样会引起射频干扰，也有可能造成器件MOS-FET因承受过高的dv／dt而被击穿。因此在功率管的栅极与IR2130的输出之间串联一个阻值为30 Ω的无感电阻。栅源极间的电阻主要提供放电回路，使自举电容的电压快速放掉。

4 结 语
    在此介绍的无刷直流电动机功率驱动电路是采用IR公司的专用驱动芯片IR2130组成的。由于1R2130驱动芯片内置了死区电路，具有过流保护和欠压保护等功能，大大降低了电路设计的复杂度，简化了整个驱动电路的设计，提高了系统的可靠性。