MAX8545和MAX8546具有2.7V至28V输入，无损ISENSE，折返式限流，其电压模式、300kHz PWM降压DC-DC控制器具有强劲的2.5gl(典型)栅极驱动器，适合于1A至15A应用。无损检流和折返式过流保护(降低功耗达80％)提供了一个高可靠、低成本的方案。它们具有极宽的输入电压范围，省掉了额外的偏置电源。是3.3V/12V PCI-EXPRESS设计，可工作于墙上适配器。

图3  MAX8545引脚与应用示意图

    4 DDR电源选择

    4.1 VDDQ、VTT和VREF的全面电源解决方案配置

    TPS51116是一套完整的DDR电源解决方案芯片。转换开关用于为VDDQ电源轨提供高效输出，并且具有伪固定频率和自适应准时控制。TPS51116提供了两种控制模式：D-CAP模式和电流模式。D-CAP模式最简单，可提供最快的瞬态响应，不需要任何环路补偿。电流模式需要简单的环路补偿并支持陶瓷输出电容器设计。TPS51116集成了高性能LDO，该LDO为VTT轨提供电源。可以更改LDO的输入以优化总功耗，并且它能够驱动或吸入3A电流。另外集成了用于VREF的缓冲基准电源轨。此输出能够支持10mA的满负载。TPS51116集成了全面的S3和S4/S5状态控制。轻松地将这些引脚连接至S3和S4/S5信号就可以在S3中支持high-Z并在S4和S5中支持软启动关闭。这整个解决方案采用4mm×4mm QFN-24封装或HTSSOP-20封装。

图4  TPS51116典型应用方框图

    ⑴主要特性为集成VDDQ、VTT和VREF轨，可选D-CAP模式与可选电流模式，伪固定频率和自适应准时控制，可选温度补偿RDS(on)／电阻OCP，固定PWM或自动跳过模式工作，集成S3和S4/S5状态，电源状态良好指示信号，集成升压二极管，封装：4mm×4mm QFN-24或HTSSOP-20。

    ⑵优点：全面的DDR电源解决方案，支持100ns以下瞬态响应，支持陶瓷输出电容器设计，已进行了优化以取得最佳性能并且解决方案尺寸很小，灵活的OCP，最适合无损或准确检测，固定软启动值省去了输出电容，在S3中支持High-Z，在S4/S5中支持软件启动关闭，VDDQ输出的电源状态良好指示监视器，封装适合小解决方案尺寸。

    4.2完整的DDR方案以更低的成本提供VDDQ、VTT和VREF并省去大尺寸电容

    DDR方案100ns瞬态响应降低了电容器的尺寸和成本。以MAX8550A作说明。MAX8550A降低了VDDQ和VTT电源中输出电容的尺寸和成本，使其成为更低成本的DDR存储器电源方案。MAX8550A还具有最高至28V的宽输入电压范围。VDDQ电源是一个±12A的DC-DC控制器，采用Quick PWM快响应架构，能够在100ns内响应负载瞬变，降低了输出电容要求。VTT电源是一个内置的高带宽LDO，具有±1.5A的吸收—源出能力(峰值±3A)，只需40μF的输出电容。保护功能包括欠压(UVP)、过压(OVP)、过流和数字软启动。VTT参考LDO可输出最高20mA。所有使能控制相互独立。

    完整的DDR电源为一路宽输入(2V-28V)，三路输出(VDDQ-0.7V至5.5V，±12A；VTT-1.25V，±1.5A典型值±3A峰值，VTTR-1.25V，20mA)。图5为MAX8550A引脚功能与应用示意图。

图5 MAX8550A引脚功能与应用示意图

    5 图形电源的特性

    GFK内核的电源解决方案，以TPS51117为例作分析说明。

    TPS51117是在笔记本电脑中提供电源的单个DC/DC控制器。开关输出是高效、可调节DC/0C控制器，最适合为图形内核提供电源。此转换开关具有伪固定频率和自适应准时控制。最简单的控制模式D-CAP模式，支持图形内核所需的最快瞬态响应并且不需要任何环路补偿。另外，TPS51117提供了PWM和跳过模式，并且支持无损OCP检测。TPS51117在3.5mm×4.5mm QFN-14或TSSOP-14封装中提供。图6为TPS51117应用示意框图。