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三种快速动态响应的VRM拓扑分析比较
来源:本站整理  作者:佚名  2009-07-09 12:50:32



摘要:本文给出了三种具有快速动态响应速度VRM拓扑:多相交错Buck拓扑、采用步进电感的变换器拓扑、混合供电模式拓扑。分析了它们各自的设计目标,工作原理,以及各自的优缺点。 叙词:电压调节模块;多相交错;步进电感;混合供电模式 Abstract:This paper proposes three topologies for VRM fast transient application:multi phase interleave buck topology, stepping inductor converter,hybrid sources.Analysises the key point and principle about each technology,and compares each other. Keyword:voltage regulate modle;multi-phase;stepping inductor;hybrid sources
1 引言

  随着半导体技术的不断进步和集成技术的发展,微处理器的集成度越来越高。为了获得高效率,微处理器的驱动电压呈低压化走势。从原来的3.3V降到1.8V~1.1V左右,最终将降到0.6V。另一方面,微处理器的功能越来越强大,其内部功能电路也越来越多,其要求驱动电流也越来越大,从以前的13A到30A~50A,以后将达到100A。同时为了节约能量,微处理器需要根据不同的工作状态急剧改变工作电流,达到50A/μS。而且由于微处理器本身的工作电压很低,其对工作电压的稳定度要求很高,50mv的电压波动就有可能引起电路的错误操作。在如此低电压,大电流,大电流变化率的条件下,要保持很高的电压稳定度(电压纹波限制在2%以内,对1.1V仅22mv),就需要微处理器的供电模块-电压调节模块VRM(Voltage Regulate Modle)具有很好的动态性能。

  提高VRM动态响应速度的最简单方法是减小输出电感,增大输出滤波电容。然而,仅仅简单的减小电感,增大电容是行不通的。小的电感将会产生大的电流纹波,这将会引起一系列问题。首先,由于大的均方根电流引起的开关导通损耗;其次,需要大电容来保持电压稳定;还有开关损耗和电感铁芯损耗增加。而输出滤波电容值的增加将会使后面解偶电容值更多倍的增加,并且占用更大的PCB板面积[1]。为了实现快速的瞬态性能,人们在控制上和拓扑上进行了大量的研究,从不同的侧重点给出了几种拓扑,下面将对其进行分析比较。

2 三类拓扑的分析比较

  2.1 多相交错Buck拓扑

  上面提到减小电感值,可以在瞬态时提高电流跟随速度,但是会增大纹波,从而引起一系列问题。对于传统VRM电路,其电感设计要求满足:
             L≥10×(Vin-Vo)×D/Io×f (1)
  其中D为占空比;
  Vin 输入电压;
  Vo 输出电压;
  Io 满载电流;
  f开关频率

  由(1)式知电流纹波限制在10%。为了减小电感值,必须减小电流纹波。人们提出了多相交错并联技术,来实现这一目的。

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