具体系统原理图如图2所示。
    2)全桥变换器设计
    全桥变换器电路如图3所示。该拓扑中MOS管采用IRFB20N50，流过的最大电流为20A，最大电压为500V。

    3)驱动电路设计
    驱动电路如图4所示。PWM输出与驱动芯片之间采用安华高公司生产的高速光藕HCPL一0710，它的速度可达到15M。驱动芯片采用国际整流器公司的IR2181，该芯片具有速度快，驱动电压高等特点，特别适用于驱动MOSFET、IGBT等器件。
    4)主变压器的选择
    高频变压器是DC／DC变换器的核心元件，其作用有三点：能量转换、电压变换和输入输出之间的隔离。变压器设计的好坏不仅影响变压器本身的发热和效率，同时也影响到开关电源的技术性能和可靠性。同时，许多其他主电路元件的参数设计都依赖于变压器的参数。因此，在主电路拓扑确定以后首先应该进行的是变压器的设计。其设计步骤为：a、变压器匝比的计算；b、变压器磁芯的选择；c、绕组匝数的计算；d、绕组导线规格的计算。
    (1)匝比的计算
    设定K为变压器原副边匝比，Udc(min)为输入电压的最小值，Dmax为副边最大占空比，Uo为输出直流电压，UD为输出整流二极管的通态压降，ULf为输出滤波电感Lf上的直流压降。考虑到移相控制方案存在副边占空比丢失现象，选择副边最大占空比为0．85，Uin(min)为PFC输出电压的最小值380V，假设输出整流二极管通态压降为1．5V，输出滤波电感上的直流压降为0．5V，则可根据经验公式

    所以实际中取K=7
    (2)磁芯的计算
    在计算好匝比以后，可以根据以下经验公式求解，Ae为磁芯磁路截面积；Ac为磁芯窗口面积；PT为变压器传输功率；fs为开关频率；△B为磁芯材料所允许的最大磁通密度的变化范围；dc为变压器绕组导线的电流密度；kc为绕组在磁芯窗口中的填充因数。并且我们将本设计中电源的参数代入求之得

    根据以上的计算并根据铁氧体磁芯生产产家提供的技术手册，我们可以选择PQ50／50磁芯，可以满足要求。
    其中Ap=14．2024cm4≥2．4cm4
    (3)匝数的计算
    选取好磁芯后，先计算副边绕组匝数。

   
    选定N2=4，根据匝比我们可以选定N1=28。
    (4)导线规格的选择
    根据所计算的原副边电流值，并考虑集肤效应，采用电流密度为4A／mm2的导线，可以计算得出所需导线的截面积为0．89mm2的，因此可以采用铜导线来进行绕制，通过分析计算可以得出，我们采用φ0．4铜线8股并绕28圈作为初级绕组，因副边有两组绕组，所以通过它的电流有效值为0．632Io=12．64，所以其绕组截面积为3．16mm2，所以采用φ0．4铜线26股并绕4圈作为次级绕组。
    5)谐振电感设计
    谐振电感用来实现滞后桥臂的零电压开关，为开关管的零电压开关提供足够的能量。为实现滞后桥臂的零电压开关，必须满足

    其中Lr是谐振电感，I是滞后桥臂开关管关断时原边电流的大小，CDS是开关管漏源极电容，Udc是母线直流电压。