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一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
来源:本站整理  作者:佚名  2009-08-27 13:11:39




    对于NMOS晶体管M1和M2,其栅源电压分别为Vgs1和Vgs2,那么图3中电压为:


   
    如果利用前面提到的两个工作在弱反型区的MOS管输出电压特性来控制两个工作在饱和区的NMOS的栅极电压Vgs1和Vgs2,使得:

  

式中:λ为比例常数。

    将式(5)代入到式(3)可得:

  
    对于参数KM1,它主要受晶体管迁移率λ的影响,通常被定义为:

  
式中:T为绝对温度;α由工艺决定,典型值为1.5。将式(7)代人式(6)可得:

它为一个与温度无关的常数。

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