结合(5)和(6)两个式子可以得到：


由此可见，当时，可在最坏情况下(D=100％，即m2>>m1)满足系统的开环稳定性要求。

图1所示的电路同时给出了在电流反馈电压上叠加斜坡补偿电压的方法。通过比较分析可知，两种补偿方法在效果上是等效的，但是第二种方法中的电路实现相对更简单，因此较为常用。

2．2 电流采样原理与方法

传统电流采样方法是在开关管的电流通路上串接检测电阻，这样不仅降低了DC-DC转换器的效率，而且对于传统工艺来说，制作这样的小电阻也很困难。为了弥补这些不足，本文在SENSEFET采样方法的基础上，加入了简洁的V／I变换电路，从而形成了一种结构简单且精度较高的采样电路，其电路主体如图l中的采样电路所示。其中MM为POWER FET，其宽长比设计的非常大，可以减小其导通阻抗(本电路的典型值为150 mΩ)；Ms为SENSE FET；检测电阻RSEN可利用工作在线性区MOS管的导通阻抗特性，使其宽长比与Ms相同，因此，导通阻抗与Ms的相等，记为RSEN。为了减小采样损耗，一般必须使(W／L)MM<<(W／L)Ms。

设(W／L)Ms：(W／L)MM=n(n的取值一般不低于100)，开关管电流为IM，则有：



采样电压VSEN经过简洁实用的V／I转换电路后，可将其转换成所需要的采样电流信号ISEN，然后与斜坡电流信号ISLOPE在R∑进行叠加，就可得到所需的电压V∑。

3 改进型电路设计

3．1 斜坡产生电路

图3所示是一种改进型斜坡产生电路，图中，MP5、MP6为匹配的差分对管：Q1、Q2匹配(rCE(Q1)=rCE(Q2)，为负载管，它们的发射极面积相等，为Q3的两倍。负载管Q1、Q2采用三极管，可在高匹配性的同时大大减小噪声影响。在Q2的集电极与基极之间加一个射极输出的晶体管Q4，可以减小Q2和Q3基极电流对ID(MP6)的分流；而在Q2和Q3的基极与地之间加电阻R4，则可用来提高Q4的β。Vc为片内振荡器充放电电容上的锯齿波电压，Vc的变化范围为V1-V2。其中V2和V1分别为振荡器充放电的高、低设定电压值。



此电路主要任务是将电容上的锯齿波电压转换成所需要的斜坡电流。

3．2电流采样电路

图4所示为本系统中的电流采样电路。该电流采样电路由三部分组成：采样电路、缓冲级电路和电压／电流(V／I)转换电路。其中采样电路采样得到反映电感电流的电压VSEN后，可经过优化处理的缓冲级电路进行电平平移，从而得到VSEN’，以避免采样电压受到后级电路的影响，即：

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