2）二极管的特性及参数
（1）单向导电特性。二极管具有单向导电特性，只允许电流从正极流向负极，而不允许电流从负极流向正极。根据制作材料不同，分为锗二极管和硅二极管，锗二极管和硅二极管在正向导通时具有不同的正向管压降。对于硅锗二极管，当所加正向电压大于正向管压降时，二极管导通。锗二极管的正向管压约为0. 3 V，硅二极管正向电压大于0. 7 V时，硅二极管导通。另外，在相同的温度下，硅二极管的反向漏电流比锗二极管小得多。
（2）二极管的主要参数。
①最大整流电流IFM：是指允许正向通过PN结的最大平均电流。使用中实际工作电流应小于IFM，否则将损坏二极管。
②反向电流Ico：指加在二极管上规定的反向电压下，通过二极管的电流。硅管为1μA或更小，锗管约为几百微安。使用中反向电流越小越好。
③最大反向电压Urm：是指加在二极管两端而不致引起PN结击穿的最大反向电压。使用中应选用URM大于实际工作电压2倍以上的二极管。
④最高工作频率fm：指二极管保证它良好工作特性的最高频率，称最高工作频率。至少应大于2倍电路实际工作频率。
3）二极管的测量
可用万用表测量晶体二极管的正向和反向导电特性，在测量二极管时应注意，普通万用表红表笔表内接电池的负极，黑表笔表内接电池正极。也可以说，黑表笔为电源的正极，红表笔为电源的负极，如图1-25所示。
二极管的极性常用元件一侧的色环来标志，带色环的引出端为负极即N极，不带色环的一侧为正极即P极。可以用万用表的R×100Ω、R×1kΩ挡测量。根据二极管单向导电特性，即正向电阻小，反向电阻大，用表笔分别与二极管的两极相接，若红表笔接二极管的正极（P极），黑表笔接负极（N极），电表所指示的阻值应大于100kΩ；若黑表笔接二极管的正极（P极），红表笔接负极（N极），阻值应小于1. 5kΩ，此时黑表笔所接一端为二极管的正极（P极）。若二极和的反向电阻很小，则说明二极管短路；若正向电阻很大，说明二极管内部断路。这两种情况都说明该二极管已损坏，不能使用，如图1-23所示。
6．三极管
晶体三极管最新标准称为晶体管，是各种电子设备的核心元件，在各种电子电路中也都离不开三极管。三极管在电路中能起放大、振荡、开关等多种作用。
1）三极管的结构
晶体三极管是由半导体材料制成两个PN结。它的三个电极与管子内部三个区----发射区、基区、集电区相连接。三极管有PNP型和NPN型两种类型，其内部结构与电路符号如图1-24所示。
图1 -24（a）所示为NPN型三极管结构示意图，它由三块半导体组成，构成两个PN结，即集电结和发射结，共引出三个电极，分别是集电极、基极和发射极。管子中工作电流有集电极电流Ic、基极电流IB、发射极电流IE。Ic 、1B汇合后从发射极流出，电路符号中发射极箭头方向朝外形象地表明了电流的流动方向。上述代表各极的字母也可用c、b、e表示。Ie=Ib ＋Ic，由于Ib很小（忽略不计）则，Ic≈Ie。
图1-24（b）图所示是PNP型三极管结构示意图，与NPN型的不同之处是P、N型半导体的排列方向不同，其他基本一样。电流方向是从发射极流向管子内，基极电流和集电极电流都是从管子流出，这从PNP型管电路符号中发射极箭头所指方向也可以看出。
2）三极管的种类
三极管有多种类型：按材料分，有锗三极管、硅三极管等；按照极性的不同，又可分为NPN三极管和PNP三极管；按用途不同，又可分为大功率三极管、小功率三极管、高频三极管、低频三极管、光电三极管；按用途的不同，则可以分为普通三极管、带阻三极管、带阻尼三极管、达林顿三极管、光敏三极管等；按照封装材料的不同，则可分为金属封装三极管、塑料封装三极管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。三极管外形如图1-25所示。
通常情况下，最大集电极允许耗散功率PC、在1W以下的三极管称为小功率三极管；特征频率低于3 MHz的三极管称为低频三极管；特征频率高于3 MHz而低于30MHz的三极管称为中频三极管；特征频率大于30MHz的三极管称为高频三极管；特征频率大于300MHz的三极管称为超高频三极管，超高频三极管也称微波三极管，其频率特性一般高于500MHz，主要用于电视、雷达、导航、通信等领域中处理微波小段（300MHz以上的频率）的信号。
高频中、大功率三极管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。
中、低频率小功率三极管主要用于工作频率较低、功率在1W以下的低频放大和功率放大等电路中。
中、低频大功率三极管一般用在电视机、音响等家电中，作为电源调整管、开关管、场输出管、行输出管、功率输出管或用在汽车电子点火电路、逆变器、应急电源（UPS）等系统电路中。
3）三极管的测量
（1）三极管基极的判别。三极管是由两个方向相反的PN结组成的，根据PN结正向电阻小、反向电阻大的性质，用万用表R×100挡或R ×1kΩ挡进行测试。可先假设任一个管脚为“基极”，用红表笔接“基极”，黑表笔分别接触另外两只管脚，若测得的均为低阻值；再将黑表笔接“基极”，红表笔接另外两个管脚，若读数均为高阻值，则上述假设的“基极”是正确的，而且为PNP型三极管，如图1-26所示。
如果用黑表笔接假设“基极”，红表笔分别接触另外两只管脚，若测得的均为低阻值。再将红表笔接“基极”，黑表笔接另外两个管脚，若读数均为高阻值，则假设的“基极”是NPN型三极管的基极，此管则为NPN型三极管，如图1-27所示。
如果用黑表笔或红表笔接假设的“基极”，余下的表笔分别接触另外两只管脚，测得的结果一个是低阻值，一个是高阻值，则原假设的“基极”是错误的，这就要重新假定一个“基极”再测试，直到满足要求为止。
（2）发射极与集电极的判断。对于NPN型三极管，判别的方法如下：用万用表R×1k挡，先让黑表笔接假设的“集电极”，红表笔接“发射极”。手指沾点水，捏住黑表笔和“集电极”，再接触基极（两个电极不能碰在一起），如图1-28所示，即通过手的电阻给三极管的基极加一正向偏置，使三极管导通。此时观察表针的偏转情况，并记下表针指示的阻值。然后再假设另一只管脚为“集电极”，重复上述测试，记下表针偏转的角度和表针指示的阻值。比较两次表针偏转所指示的阻值，表针偏转角度大、指示的阻值小的那次，假定是正确的，即该次黑表笔接的就是集电极。
如果是PNP型三极管，只要将红表笔接假设的“集电极”，手指沾点水，捏住黑表笔和“发射极”，再接触基极（两个电极不能碰在一起），按照上述方法测试即可，如图1-29所示。
快速识别：由于现在的三极管多数为硅管，可采用R×10k挡（万用表内电池为15V），红、黑表笔直接测c、e极，正、反两次，其中有一次表针摆动（几百千欧左右）。如两次均摆动，以摆动大的一次为准。NPN管为红笔所接c极，黑笔所接为e极。PNP管红笔接e极，黑笔接c极（注意：此法只适用于硅管，与上述方法相反，另外此法也是区分光电藕合器中c、e极最好方法）。
（3）直流放大倍数h FE的测量。首先把万用表转动开关拨至晶体管调节AM位置上，将黑测试棒短接，调节欧姆电位器，使指针对准300hee刻度线上，然后转动开关到h FE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测座的e、d、c管座内。指针偏转所示数值为晶体管的直流放大倍，即B值，N型晶体管应插入N型管孔内，P型晶体管应插入P型管孔内。
7．场效应晶体管
1） VM0S场效应晶体管的结构及性能特点
VMOS场效应晶体管是一种功率型场效应晶体管，全称为V形槽MOs场效应晶体管，简称VMOS管，VMOS管有三个电极，分别为栅极G、漏极D和源极S。电路符号有两种画法，一种是内藏保护二极管型，另一种是内部不带保护二极管型，分别如图1-30所示。VMOS管的特点是具有V形槽和具有垂直导电性。漏极D是从芯片的背面引出的，因而工作时的漏极电流ID不是沿着表面水平流动，而是从重掺杂N＋区（源极S）出发，经过与表面形成一角度的沟道流到轻掺杂N-漂移区，然后垂直到达漏极D。因此，人们常把这种具有v形槽结构和垂直导电型的半导体器件统称为V-MOSFET（垂直导电型金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。VMOS管具有输入阻抗高、驱动电流小、耐压高（最高耐压1200 V）、工作电流大（1. 5A～100A）、输出功率大（1W～250W）、跨导线性好、开关速度快等特点。
2）场效应晶体管检测
功率MOSFET的三个极：G，S和D是相互绝缘的，D与S之间有两个背对背的二极管，所以，用指针式三用表（R×1k挡）是很容易来判别其好坏的。另外，功率MOSFET的漏极及源极之间并联了一个二极管，则在测试时可测出二极管的阴极及阳极。下面以测N管的好坏为例说明其判别方法。
将万用表拨到1kΩ挡，以红表笔接S、黑表笔接G及红表笔接G、黑表笔接S，指针不动（电阻为无穷大）；再用红表笔接D、黑表笔接G及红表笔接G、黑表笔接D，指针也不动。这是因为G与D及S之间有二氧化硅绝缘层，所以电阻为无穷大。用黑表笔接S和G，红表笔接D，指针转到10kΩ左右，这测出的是内部二极管的正向电阻值（保护二极管）；黑表笔接D、红表笔接S和G，指针不动，这是内部二极管反向电阻及D、S之间无导电沟道时电阻值。这N沟道功率MOSFET是好的。
在测D和S之间电阻时要将S和G接在一起，因为在测低阈值电压功率MOSFET时，它的VGS（Th） =0.45V～1V。在测G与S间的电阻时，由于测电阻表中有1. 5V的电压，在G与S极间加了1. 5V电压，使其在两个极板上产生电荷，产生了导电沟道。由于没有放电通路，这电荷放不掉，所以，若在测G、S之间电阻后，不将G与S连接在一起放掉电荷，则会测出D、S间电阻很小的情况（因为表内1. 5V电池电压加在D、S极、G、S及产生的感应电荷已形成导电沟道，所以，测出电阻很小的情况，而G、S连在一起，则形成放电回路，无导通条件）。
若用上述方法测量时发现G与S之间或G与D之间电阻较小，或G，S接红表笔，D接黑表笔时，电阻不是无穷大（几十千欧或几百千欧），则此N管已有损坏。若测D、S之间（红、黑对调测量）都是无穷大，则其中二极管损坏。测P管的方法与测N管相同，但极性相反。
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