来源：本站整理 作者：佚名 2024-12-13 09:51:20
-Flash写入超最大次数。
模块
ATE初测校准写三次分别在KB值初始化 ，OBC校准保存KB值，DCDC校准保存KB值；
A,
ATE读产品里的校准次数=0时，模块测试PASS后校准次数=3次；
B,
ATE读产品里的校准次数=1时，模块测试PASS后校准次数=4次；
C ,
ATE读产品里的校准次数=2时，模块测试PASS后校准次数=5次；
D,
ATE读产品里的校准次数=3时，模块测试PASS后校准次数=6次；
E,
ATE读产品里的校准次数=4时，模块测试PASS后校准次数=7次；
F,
ATE读产品里的校准次数=5时，模块测试PASS后校准次数=8次；
G,
ATE读产品里的校准次数=6时，模块测试PASS后校准次数=9次；
H,
ATE读产品里的校准次数=7时，模块测试PASS后校准次数=10次；
I,
ATE读产品里的校准次数=8时，模块测试PASS后校准次数=11次；
J,
ATE读产品里的校准次数=9时，模块测试PASS后校准次数＞11次；
当
ATE读产品里的校准次数=A B C D E F G H时终测EOL还会写一次次数，此时产品为正常件（H在终测写一次就达到11次上限）；
当
ATE读产品里的校准次数=I J时终测还会写一次次数，此时产品为异常件；
问题件发生时模块次数上限为9次。
结论：
写入失败，有异常。
-Flash写入超最大次数。
拦截异常原因：
读取标志位确认时，DSP未能掉电，读取的是缓存区设定值“0”（清除成功标志）。下电后flash未能保存“0”值，维持老化模式。
结论：
写入失败，有异常。
永久对策：
1.模块初测前确认flash次数改为6次，EOL检测时，flash次数改为10次，保证系数清除老化模式写入flash；
2.清除老化模式后，机台下电2s再读取，保证DSP完全掉电进行标志位判断；
3.增加CP控制功率判断，设置CP=20%，输入电流不大于14A（3kW）。
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