③充电桩：智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用（图6）。

    IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式（图7）与压接式（图8）两类。焊接式IGBT的结构及封装过程见图9。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IG日丁模块则出现了很多新技术，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。

 

    模块技术发展趋势：无焊接、无引线键合及无衬板／基板封装技术；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。

2．目前市场现状

    国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、ABB、三菱、西门康（图10）、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50％以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，相对较弱。国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600-6 500V，电流2-3 600A，已形成完善的IGBT产品系列。