另外，需要特别明确地址总线的信号传输方向，只能从CPU出发，而字库也只能被动地接收CPU发过来的寻址信号。明确了这一点后，对检修不开机的手机是很有帮助的，对于一台不开机的手机，取下字库测其他地址总线的寻址信号，如果正常，则要注意先检查CPU的工作条件是否满足，如供电、复位、时钟等。如果CPU的工作条件完全正常，CPU还不能正常发出寻址信号的话，则CPU可能损坏。
（2）数据总线
数据总线用DB表示，DB是英文Data Bus的缩写，用来在CPU与存储器之间传输数据。由于数据可以从CPU传输到存储器，也可以反方向传输到CPU中，所以数据总线（DB）是双向数据传输的总线，与地址总线（AB）不同。
数据总线的根数与CPU的位数相对应，一个8位的微处理器，其数据总线（DB）数目一般为8根，分别用D0~D7表示，一个32位的CPU，其数据总线（DB）数目一般为32根，分别用D0~D31表示。
（3）控制总线
控制总线用CB表示，CB是英文Control Bus的缩写。控制总线（CB）用来传输控制信息，例如传送中断请求（IRQ、INT)、片选（CE、CS）、数据读/输出使能（OE）、数据写瀚入使能（WE）、读使能（RE）、写保护（WP）、地址使能信号（ALE）、命令使能信号（CLE）等。控制总线（CB）是单向传输的，但对CPU来讲，根据各种控制信息的具体情况，有的是输入信息、有的是输出信息。
控制总线采用能表明含义的缩写英文字母符号，若符号上有一横线，表明用负逻辑（低电平有效），否则为高电平有效。
只要能够把握维修CPU部分故障的“三点三线”，合理选择维修思路和方法，问题都会迎刃而解。
在手机中，有些手机使用NOR FLASH做存储器，有些使用NAND FLASH做存储器，它们之间还是有区别的。NOR FLASH带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节：NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512B的块，这有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
下面以NOR FLASH为例看下“三线”。图17是NOR FLASH电路的数据线、地址线和控制线。
NAND FLASH电路结构与NOR FLASH电路结构还是有区别的，下面来看下NAND FLASH的引脚定义。
CLE: Command Latch Enable，命令锁存使能。CLE输入信号控制操作模式命令进入内部命令寄存器的加载过程，当CLE高电平有效时，从IO端口输入的命令在/WE上升沿时被锁存进命令寄存器中。
ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能。ALE信号被用于控制地址信息或输入数据进入内部地址/数据寄存器内。ALE高电平时，地址信息在/WE上升沿时被锁存到寄存器内；ALE低电平时，输入数据在/WE上升沿时被锁存到寄存器内。
CE：Chip Enable，写使能。WE负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
RE：Read Enable，读使能。RE允许输出数据缓冲器。
R/B：Ready/Busy，就绪忙。如果NAND器件忙，R/B信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
I/O1-8:做为设备传输地址信息、数据和指令的商品中。
通过以上引脚定义可以看出，NAND FLASH电路例如I/O1-8来传输地址信息和数据信息，维修时要注意。
iPhone 6 Plus手机的NAND FLASH电路如图18所示。
3.3 手机射频电路——“一信三环”法
射频电路的故障一般表现为信号弱、无信号、无发射等现象，对于射频电路故障，这里总结了“一信三环”法。
1. 一信
“一信”是指手机的I/Q信号，在手机维修中，I/Q信号是手机射频和逻辑部分的分水岭，通过利用示波器测量4路I/Q信号的方法来判定故障范围。
通过测量I/Q信号可进一步缩小手机的故障范围，确定故障是射频部分引起还是基带部分引起。
使用数字示波器实测的I/Q信号波形如图19所示。
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