3.7  多功能开关控制电路
    在iPhone 5S手机中使用了苹果专用的USB/UART切换芯片U2，U2芯片支持7选1的切换，并且可以通过内部寄存器来控制，U2还支持附件ID的识别功能，可以识别不同的附件接入。
    多功能开关控制电路框图如图57所示。

    多功能开关控制电路原理图如图58所示。

    3.8  应用处理器存储器电路
    iPhone 5S手机应用处理器部分使用了两个存储器，分别是NAND Flash U4和EEPROM（码片）存储器U6，下面分别进行介绍。
    1. 存储器分类
    目前市面上使用的存储器有很多种，根据存储介质、存储方式、信息保存和存储用途等分类如图59所示。

    目前较为常用的是半导体材料ROM和RAM存储器。
    2. NAN D存储器
    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel公司于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本并具有更高的性能，像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
    “NAND存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量需要多次擦写的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
    NOR的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
    NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。
    NAND Flash内部结构框图如图60所示。

    在iPhone 5S手机中，将NAND Flash分成三个区：隐藏区用于存放开机程序，系统区用于存放系统文件，用户区用于存放用户数据，如MP3、MP4等。
    NAND Flash与NOR Flash相比较，其数据线宽度只有8bit，没有地址总线，I/O接口可用于控制命令和地址的输入，也可用于数据的输入和输出，多了CLE和ALE来区分总线上的数据类别。
    NAND Flash信号如表1所示。

    NAND Flash原理图如图61所示。

    3. EEPROM存储器
    EEPROM（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，电子抹除式可复写只读存储器，或写作E2PROM）是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。
iPhone 5S手机应用处理器部分增加一个EEPROM存储器U6，U6通过I2C总线与应用处理器进行通信，原理图如图62所示。

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