晶闸管的结构与等效电路图如图2所示。当阳极加上正向电压时，如果从门极G输入一个正向触发信号，那么VT2便有基流Ig流过，经VT2放大，VT2集电极电流IC2＝βg。此时，电流几再经VT，放大，VT，的集电极电流Ic1 =βIC2=β×βIg。这个电流又流回到VT2的基极，使Ig不断增大，如此正向馈循环的结果是两个管子的电流剧增，使晶闸管饱和导通。在VT1和VT2所构成的正反馈作用下，一旦可控硅导通，即使控制极G的电流消失，可控硅仍能维持导通状态。在晶闸管导通后，如果减小晶闸管所承受的电压使阳极电流IA减小到维持电流以下，那么la 、  Ic1都迅速下降，晶闸管恢复阻断状态。
    2.2晶闸管关断特性
    晶闸管关断过程包括反向阻断恢复时间（trr）和正向阻断恢复时间（tgr），其中前者表示正向电流降为零到反向恢复电流衰减至近于零的时间，后者表示晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力所需要的时间。晶闸管的导通与关断过程如图3所示。

在正向阻断恢复时间（tgr）内，如果重新对晶闸管施加正向电压，那么无论晶闸管门极是否有触发电流，晶闸管都会正向导通。晶闸管关断过程就是积累的非平衡载流子消失过程，为了使晶闸管在承受正向电压后重新获得阻断能力，在晶闸管电流过零到承受正向电压这段时间内，非平衡载流子的浓度必须下降到比临界存储电荷小的程度。
    由于P2区的杂质浓度高于N1区，N1P2结又为正向结，因此P2区的空穴易向N1区注入，N1区的电子不易向P2区注入。尽管长基区的空穴可从P1N1结流走，但是得到P2区注入空穴的补充，使得电子又不易向P2区输出，因此长基区的载流子恢复需要一定时间。在我国直流输电工程中，熄弧角Y通常都大于12.5°（约700ms ），以确保逆变器的晶闸管在承受正向电压前已具有对其正向电压的阻断能力。

    3 结束语
    本文分析说明了逆变站所联接的交流系统扰动和换流器故障是导致换相失败的直接原因，但是晶闸管特性决定了晶闸管关断时间就是积累的非平衡载流子消失过程，在正向阻断恢复时间内，如果重新对晶闸管施加正向电压，那么晶闸管将继续导通。工程上为避免发生换相失败，须确保运行中的熄弧角y大于其临界值。
 

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