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二次开机后，+VB电压通过RC6 -RC8加到QC3的b极，QC3导通，QC3的e极输出5V电压（+5VMCU ）。三端精密稳压器UC3 （TL431）与电阻RC9,RC 10组成稳压电路，RC9和RC 10为分压取样电阻。
当＋5VMCU输出电压升高时，RC9与RC10分压所得电压升高，即UC3的R极电压升高，则UC3的K极电压下降，这将导致QC3的导通程度变浅，输出电压下降，从而使输出电压稳定。当+5VMCU输出电压下降时，其稳压过程与上述相反。
6．主电源兼逆变驱动电路
主电源兼逆变驱动电路采用美国通用半导体公司（Silicon General）生产的SG3525，见图T, SG3525是一款性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，输出驱动为推拉输出形式，驱动能力强，主要用于驱动N沟道功率MOSFET管。SG3525内部集成有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器及过流保护电路，具有频率可调（同时能限制最大占空比），简单可靠，使用方便灵活等优点，其引脚功能及在本二合一板中的实测电压见表3。
开机后，UC1的15和13脚得到＋VB电压，同时保护电路P3的输出P-CON信号为高电平，加到QC5的b极，QC5饱和导通，UC 1的⑩脚为低电平（OV),UC1正常工作，UC 1的11脚和14脚输出驱动方波，加到推动变压器TD 1的初级绕组上。
若驱动灯管的高压电路工作异常，则保护电路P3输出的P-CON信号变为低电平，QC5截止UC1的⑩脚为高电平，UC 1进入保护状态。
UC 1的①脚通过电阻RC51,RC17和RC 19接PT信号（来自高压输出电路），以实现高压过压保护功能。若高压输出过高时，则PT信号电压升高，即UC 1①脚电压升高，当①脚电压大于②脚电压时，⑨脚输出低电平，三极管QC4截止，这时二极管DC4导通，16脚输出的＋5V基准电压通过DC4,RC51加到①脚，使得①脚电压持续高于②脚，⑨脚持续输出低电平，UC 1停止驱动输出。由此可见，UC 1⑨脚与外围电路组成一个故障锁定电路，当输出高压过压时，不让UC 1进入间歇工作状态，而是进入停止输出锁定状态。
7. 12V电压形成电路
该二合一板的+12V电压形成与逆变驱动电路为同一电路，如图8所示。
输出变压器TY1，开关管QD1,QD2，与电容CD4,CD5组成半桥驱动电路。开机后，推动变压器TD1次级输出相位相反的驱动脉冲，当QD 1导通时，电流经QD 1及TY1初级线圈向CD5充电；当QD 1截止时，QD2导通，电流经TY1初级线圈及QD2和RD7给CD4充电。
DD1和DD2是双肖特基二极管，其作用是在开关管关断瞬间使G极更快放电，从而加快MOs管的关断。由于电容分压不是太精确，特加入分压电阻RD 13-RD 16 ,使得Z125处电压为VBUS/2，从而保证电路的稳定工作。
图8中TY1的次级绕组与升压变压器THV1、THV2的初级绕组及电容CD6、CD18组成串联谐振电路，在谐振过程中，THV 1,THV2的次级绕组中产生高压，从而点亮灯管。
