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提供2mm×2mm、8引脚TDFN无铅封装，工作在-40℃至+85℃扩展级温度范围。
能够在高达28V的故障电压下保护低压系统，输入端采用1μF电容旁路至地时，还可提供±15kV的ESD保护（人体模式）。
内置RON为100mΩ (典型)的FET，能够在高达+28V的故障电压下有效保护低压系统。当输入电压高于过压门限时，内部FET断开，以防止损坏被保护电路。过压保护门限可以通过外部电阻设置在4V至8V之间。当OVLO输入设置低于外部OVLO的选择电压时，将自动选择内部±2.5%精度的门限。内部过压门限(OVLO)预置为5.75V典型值。还利用内部热关断提供过流保护。
关键特性
高达+28V的输入电压保护
提供内部±2.5%精度的OVLO门限5.75V
可调节过压保护门限
内置100mΩ (典型值) n沟道MOSFET开关
软启动电路大大降低了输入浪涌电流
自动过压保护门限选择
内部15ms启动延时
热关断保护
引脚排列图：
