GTR晶体管是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），也叫BJT晶体管。通常为NPN型，基极P层半导休采用沟槽型结构，也就是基极像沟槽一样镶嵌在N层发射区，并且在集电区设有N层缓冲区。管子的整个芯片安装在双面带有银箔的绝缘基板上，基板利用特殊焊接方式固定在管壳铜底板上，管壳内部充满导热及绝缘性能极好的透明硅脂，这种工艺结构使得GTR晶体管具有开关时间短、饱和压降低、工作反压高、集电极输出电流大、工作结温高、安全工作区域宽且具有自关断能力的特点。因此GTR晶体管广泛应用于交／直流电机驱动、不间断电源、中频电源中的电源开关管，音响末级功放管等高电压、大电流场合。表1是部分GTR晶体管主要参数。