MOSFET的开关性能优于双极型晶体管，因此在功率电子开关的应用场合几乎都由功率MOSFET来担任。例如，开关电源、逆变器、变频器、负载开关、直流固态继电器中的开关器件几乎都采用了功率MOSFET。近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，功率MOSFET也不断地改进，提高了性能。其主要表现在两个方面：一方面是其导通电阻RDS(on)不断地下降，由过去的几百mΩ下降到几十mΩ，目前已可做出导通电阻仅mΩ的新产品来，使功率MOSFET的功率损耗不断地减小，提高了效率，并简化了散热装置。有的功率MOSFET甚至于可不用散热器。另一方面是增加了功率MOSFET的保护功能，增加了栅一源箝位保护、漏一源箝位保护及短路限流保护。这样，在开、关机瞬态过程中或负载瞬态接通或断开时，使功率MOSFET受到瞬态的过压、过流冲击而不损坏，并且在发生短路事故时，保护功率MOSFET不烧毁。

    具有这种较完善保护功能的功率MOSFET称之为智能功率MOSFET。