四、功率MOSFET管的特点
    功率MOSFET管与三极管相比具有如下特点：
    1.MOSFET管是电压控制型器件（三极管是电流控制型器件），因此在驱动时无需推动级，电路较简单；
    2．输入阻抗高，可达100MΩ ；
    3．工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小；
    4．有较优良的线性区，并且MOSFET管的输入电容比三极管的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最合适制作Hl-Fl音响；
    5．若要增加输出电流，功率MOSFET管可以多只并联使用，且无需均流电阻。

    五、MOSFET管的典型应用电路
    1.电池反接保护电路
    为防止电池接反损坏电路，最简单的方法是在供电电路中串联二极管，当电池接反时，因二极管反偏而不导通，但在电池未接反时，该二极管两端有0.6V左右的压降，二极管要损耗一部分能量。为了节能，许多便携式电子产品的电池反接保护电路采用MOSFET管，如一款平板电脑中的电池反接保护电路如图9所示。V1是一只导通电阻RDS（ON）约为0.04Ω的增强型N沟道MOSFET管。

    当电池装反时，V1截止，电路得以保护。在电池正确安装，且VGS ≥ 5V时，V1导通，电流是从D极流向S极。
    2．触摸调光电路
    一种简单的触摸调光电路如图10所示。当手指触摸上触头时，＋12V电压经手指电阻及R（100kΩ）给电容C充电，V1的 VGS电压逐渐增大，灯渐亮；当触摸下触头时，C中的电荷经R及手指电阻放电，V1的VGS电压逐渐减小，灯渐暗到灭。

    3．甲类功率放大电路
    一种简单的甲类功率放大电路如图11所示。偏置电阻R1、R2对24V电压进行分压，得到静态的VGS电压，此时V1的G、S极间有一定的电流流过。当音频信号经过C1藕合到V1的G极时，VGS电压会随音频信号的变化而变化，虽然幅度很小，但这时D、S极间电流（ID）却会发生较大的变化，经输出变压器阻抗匹配，使喇叭中发出较大的声音。DW为9V稳压二极管，以防止VGS电压过高而击穿V1。

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