肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，全称是肖特基整流二极管（Schottky Recti-fier Diode，缩写为SR），或肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode、缩写为SBD ）。该器件是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件，其整流电流可达到数百安培，现已广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中，作为高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，或在微波通信电路中作为整流二极管或小信号检波二极管。

    一、结构简介
    肖特基二极管内部结构与普通PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钥或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（Si02）电场消除材料、N一外延层（砷材料）、N型硅基片、N＋阴极层及阴极金属等构成，如图1所示。

    N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
    肖特基二极管主要优点有以下两点：一是正向压降低（0.2V～0.4V ），约为一般硅二极管的一半，其伏安特性曲线如图2所示。由于正向压降低，则肖特基二极管在正向导通时的功耗较小，这是普通二极管不能比拟的，尤其是在大电流电路中。第二个优点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），比超快速恢复二极管的反向恢复时间还要短。

    肖特基二极管的缺点是其反向偏压较低与反向漏电流偏大。普通肖特基二极管的反向偏压大多不高于100V（部分新品最高约200V） 、其反向漏电流表现为正温度特性，容易随着温度升高而急剧变大。
    提示：虽然肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但由于其反向偏压较小，所以多用于低压整流电路中，如液晶彩电开关电源（SMPS）次级的＋24V、＋12V、＋5V整流，而开关电源初级和功率因数校正（PFC）电路中的整流二极管、续流二极管、升压二极管等，只能采用快恢复二极管（FRED）或超快速恢复二极管（UFRD） 。

    二、封装形式
    肖特基二极管分为有引线安装和表面安装（贴片式）两大类，具体封装形式如图3所示。采用有引线的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。

    另外，根据每个单体中所含有肖特基二极管的数量又分为单管式和对管（双二极管）式两种方式。所谓单管式即内部只含有一只肖特基二极管，而对管式是指内部含有两只肖特基二极管，其具体连接又分为：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种方式。

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