彩显的行管在行输出电路中工作于高频率、高电压和大电流状态下,因此其故障率相对于其他单元电路要高得多,加之因彩显的品牌、机芯和使用范围的不同,其行输出电路的结构差别很大,所采用的行管品种也比彩电多得多。一个普通的维修员,不可能储备数量众多、型号齐全的行管,所以代换是重要维修手段之一。但在实际维修中,我们经常会遇到一些特殊型号的行管,由于无任何参数和参考资料,在维修时,因所换的参数不匹配而屡损行管甚至人为造成二次故障的例子屡见不鲜。
那么,要怎样做才能准确、快捷、安全地实现代换呢?以下是本人在实际维修中总结出的一点经验,供同行参考。
彩显行输出电路高反压晶体管部分参数
下面对常见彩显行管的基本参数作一定介绍,常见彩显行输出电路高反压晶体管(NPIN)部分参数见表1。
表1 彩显行输出电路高压晶体管(NPIN)部分参数 | ||||||||
封装 | 型号 | VCBO(V) | VCBO(V) | ICM/ICP(A) | HEF | Ts(μS) | TF(μS) | fβ(KHz) |
TO-3PF | KSC5802 | 1500 | 3 | 10/30 | 15~48 | 2 | 0.1 | 100 |
SOT-399 | BU2520AX | 1500 | 5 | 10/25 | 5~9.5 | 3~4 | 0.2 | 64 |
SOT-399 | BU2522AX | 1500 | 5 | 10/25 | 5~8 | 1.7~2 | 0.2 | 64~70 |
TO-3PML | 2SC5387 | 1500 | 3 | 10/20 | 4.3~7.8 | 2.5 | 0.15 | 64 |
TO-3PML | 2SC5296 | 1500 | 5 | 8/16 | 4~7 | 3 | 0.2 | 100 |
SOT-399 | BU2520DX | 1500 | 5 | 10/25 | 5~9.5 | 4.5~5.5 | 0.35 | 64 |
TO-3PML | 2SC4769 | 1500 | 5 | 7/16 | 3~8 | 3 | 0.1 | 100 |
TO-3PML | 2SC5411 | 1500 | 3 | 14/28 | 4~8 | 2.5~3.5 | 0.15 | 64~70 |
TO-3PF | FJAF6810 | 1500 | 3 | 10/20 | 5~8 | 3 | 0.2 | 100 |
TO-3PF | FJAF6812 | 1500 | 3 | 12/24 | 5~8 | 3 | 0.1 | 100 |
Vcbo:发射极开路状态下集电极一基极最大反向击穿电压。
彩显的行输出管VCBO值应大于等于1500V,其值越高,可靠性越大。
IOM:最大集电极额定工作电流。通常14~15英寸彩显行管的ICM值应大于5A,17英寸以上(包括17英寸)的ICM值应大于等于10A。
ICP:最大峰值集电极电流。该值由CRT、阳极高压,行电源、行偏转线圈电感量等因素决定。
PCM:集电极最大耗散功率。该值越大,表示行管的功耗越大,代换可靠性越高。
HEF:共发射极静态放大倍数,该值是标识晶体管开关特性的重要参数之一,它对行管的激励状态有直接影响,如果选值不当,很可能会造成过激励或欠激励而屡损行管。
Ts:存储时间,指晶体管从饱和导通转向截止所需的延迟时间。
该值越小,表示该管的开关特性越好,是行管的重要参数之一。
TF:下降时间,指晶体管从饱和导通转为完全截止所需的时间。它与TS共同构成晶体管的关断时间(TOFF=TS+TF),该值越小,说明该管的开关特性越好,是行管的重要参数之一。
FT:特征频率,指在共发射极电路组态中,放大倍数降为1时所对应的频率。该值越大,表明该管的性能越好。
VCE(sac):集电极一发射极饱和压降。
此外还有VCBO、TON、FB等参数,许多人在代换彩显的行输出管时,往往以为只要用了大功率、高耐压、大电流的管子代换就一定能够成功,其实不然,下面结合实例作进一步说明。