一辆行驶里程约9万km、搭载1.5L VCT发动机的2016款上汽荣威E550混动版轿车。车主反映:该车无法正常行驶,启动上电后挂前进挡,高压系统紧急下电,且仪表提示混动系统故障。
故障诊断:技师带着诊断仪上门抢修,到达现场后与车主沟通了一下基本情况,然后上车尝试启动车辆,仪表“READY”灯点亮,高压电上电正常。当换挡杆选到前进挡时,瞬间仪表“READY”指示灯熄灭,同时显示高压系统故障,混动故障灯点亮,车辆无法行驶。连接诊断仪读取各系统故障码,在混动控制模块(HCU)和驱动电机模块(EDU)内读到许多故障记录(图1),其中PlCA300IGB丁驱动芯片电源故障与P1C8D00硬线检测母线过压这两个故障意味着电力电子箱(PEB)中的IGBT驱动芯片可能已经击穿。
看来在现场无法解决问题,只好将故障车拖回站内。技师先按照
新能源汽车维修的要求对高压电池包进行断电操作,在确认安全的前提下开始拆卸电力电子箱(PEB),电力电子箱(PEB)由逆变器和变压器两个主要模块组成,以实现低压电池充电和电机驱动的功能。IGBT驱动芯片就在电力电子箱(PEB)内。
为了确认IGBT驱动芯片是否击穿,需要检测其阻抗。在电力电子箱(PEB)上有来自高压电池包(ESS)的T+与T-直流电接口,还有控制驱动电机(EDU)内的TM电机和ISG电机的三相交流电接口UVW(图2)。
将数字万用表选到测量二极管的档位,然后分别测量T+与T-对TM电机的UVW三相与ISG电机的UVW三相的阻抗,当测量T+至V相的阻抗数据时,发现数据为0.7V(图3), T-至V相的数据也为0.7V(图4),两边数据相同。正常T+至V相为0.36V,T-至V相为1.16V(图5),说明IGBT内部被击穿。
由于IGBT驱动芯片无法单独更换,更换电力电子箱(PEB)后,该车故障被彻底排除。
维修小结:在
新能源汽车中,已经广泛使用IGBT驱动芯片来控制驱动电机工作,作为电控系统的核心部件,维修技术人员应熟练掌握其测量方式与判断依据,以提高诊断的效率和准确性。